[發明專利]圓筒型濺射靶材、使用其的配線基板以及薄膜晶體管

有效

• 申請號: 201210089149.2
• 申請日: 2012-03-29
• 公開（公告）號: CN102994962A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: 上田孝史郎;辰巳憲之;小林隆一
• 申請（專利權）人: 日立電線株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;H01L23/498;H01L29/786
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 鐘晶;於毓楨

1.一種圓筒型濺射靶材，其特征在于，由純度3N以上的無氧銅形成，并具有圓筒形狀，

從外周面側向著內周面側，硬度逐漸增加，

并且，從所述外周面側向著所述內周面側，(111)面的取向率逐漸增加。

2.如權利要求1所述的圓筒型濺射靶材，其特征在于，構成為使得由從所述外周面側向著所述內周面側硬度逐漸增加而引起的所述圓筒型濺射靶材的濺射速度的下降部分與由從所述外周面側向著所述內周面側(111)面的取向率逐漸增加而引起的所述圓筒型濺射靶材的濺射速度的增加部分相抵消，從而即使所述圓筒型濺射靶材由于使用而其壁厚逐漸減少，所述圓筒型濺射靶材的濺射速度也一致。

3.如權利要求1或2所述的圓筒型濺射靶材，其特征在于，所述硬度為維氏硬度，所述外周面側的維氏硬度為75HV以上80HV以下，所述內周面側的維氏硬度為95HV以上100HV以下。

4.如權利要求1～3中任一項所述的圓筒型濺射靶材，其特征在于，所述外周面側的所述(111)面的取向率為10％以上15％以下，所述內周面側的所述(111)面的取向率為20％以上25％以下；

其中，所述(111)面的取向率是通過如下式子求出的值，所述式子中，將由X射線衍射測得的各峰的測定強度分別除以JCPDS卡片編號40836所記載的與所述各峰對應的晶面的峰的標準強度而得的值的合計作為分母，將由X射線衍射測得的(111)面的峰的測定強度除以JCPDS卡片編號40836所記載的(111)面的峰的標準強度而得的值作為分子。

5.如權利要求1～4中任一項所述的圓筒型濺射靶材，其特征在于，結晶粒徑在50μm以上100μm以下的范圍內。

6.如權利要求1～5中任一項所述的圓筒型濺射靶材，其特征在于，是對擠出管坯實施擴管拉拔加工和熱處理而形成的。

7.一種配線基板，其特征在于，具有：

基板，和

在所述基板上形成的配線結構；

所述配線結構的至少一部分是由使用權利要求1所述的圓筒型濺射靶材而形成的濺射膜來構成的。

8.一種薄膜晶體管，其特征在于，具有：

基板，和

在所述基板上形成的包括源電極和漏電極的配線結構；

所述配線結構的至少一部分是由使用權利要求1所述的圓筒型濺射靶材而形成的濺射膜來構成的。