[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210089138.4
• 申請(qǐng)日: 2012-03-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102610725A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-07-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 譚占鰲;李舒生;何少劍;林俊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華北電力大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L33/36
• 分類號(hào): H01L33/36;H01L51/52;H01L33/00;H01L51/56
• 代理公司: 北京眾合誠(chéng)成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11246
• 代理人: 薄觀玖

1.一種半導(dǎo)體量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于：該半導(dǎo)體量子點(diǎn)發(fā)光二極管包括依次層疊的襯底、高功函陽(yáng)極層、陽(yáng)極修飾層、空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層和低功函陰極層，或者該半導(dǎo)體量子點(diǎn)發(fā)光二極管包括依次層疊的襯底、高功函陽(yáng)極層、陽(yáng)極修飾層、空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、電子傳輸層和低功函陰極層，其中，所述陽(yáng)極修飾層為氧化鉬膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于：所述氧化鉬膜以二(乙酰丙酮)氧化鉬為前驅(qū)體，采用溶液加工的方法制備。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于：通過(guò)二(乙酰丙酮)氧化鉬在空氣中加熱轉(zhuǎn)變而成氧化鉬膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于：所述氧化鉬膜的厚度為

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于：所述襯底為玻璃或柔性襯底。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于：所述高功函陽(yáng)極層為透明導(dǎo)電金屬氧化物電極層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于：所述低功函陰極層為Ca、Al、Mg或它們的合金。

8.權(quán)利要求1至7任意一個(gè)權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于該方法包括如下步驟：

(a)在襯底上設(shè)置高功函陽(yáng)極層；

(b)在高功函陽(yáng)極層上旋涂二(乙酰丙酮)氧化鉬與溶劑的混合溶液，經(jīng)烘烤，得到陽(yáng)極修飾層氧化鉬膜；其中，旋涂的轉(zhuǎn)速為1000-5000rpm，烘烤的溫度為20-250℃，時(shí)間為1分鐘到48小時(shí)；

(c)在陽(yáng)極修飾層上依次制備空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層和低功函陰極層，或者在陽(yáng)極修飾層上依次制備空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、電子傳輸層和低功函陰極層，得到半導(dǎo)體量子點(diǎn)發(fā)光二極管。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于：步驟(b)中，二(乙酰丙酮)氧化鉬與溶劑的混合溶液濃度為1-20mg/mL。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于：所述溶劑為異丙醇、異辛醇、乙醇、乙酸乙酯或石油醚中的任意一種或它們的組合。