[發(fā)明專利]發(fā)光二極管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210089098.3
• 申請日: 2012-03-30
• 公開（公告）號: CN103367585A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金元浩;李群慶;范守善
• 申請（專利權(quán)）人: 清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/24
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發(fā)光二極管，包括：

一第一電極、一第一半導(dǎo)體層、一活性層、一第二半導(dǎo)體層以及一第二電極；

所述第一電極、第一半導(dǎo)體層、活性層及第二半導(dǎo)體層依次層疊設(shè)置，且所述第一電極與所述第一半導(dǎo)體層電連接；所述第二電極與該第二半導(dǎo)體層電連接；所述第二半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離活性層的表面為所述發(fā)光二極管的出光面；

其特征在于，所述第二半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離活性層的表面具有多個第一三維納米結(jié)構(gòu)，該第一三維納米結(jié)構(gòu)為間隔設(shè)置的條形凸起結(jié)構(gòu)，該條形凸起結(jié)構(gòu)的橫截面為弓形。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一三維納米結(jié)構(gòu)以直線、折線或曲線并排延伸。

3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一三維納米結(jié)構(gòu)按照等間距排布、同心圓環(huán)排布或同心回形排布。

4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一三維納米結(jié)構(gòu)的高度為100納米~500納米；所述第一三維納米結(jié)構(gòu)的寬度為200納米~1000納米。

5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，相鄰的兩個第一三維納米結(jié)構(gòu)之間的距離為10納米~1000納米。

6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一三維納米結(jié)構(gòu)的高度為150納米~200納米；所述第一三維納米結(jié)構(gòu)的寬度為300納米~400納米；且相鄰的兩個第一三維納米結(jié)構(gòu)之間的距離為100納米~200納米。

7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述條形凸起結(jié)構(gòu)的橫截面為半圓形。

8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述半圓形的半徑為150納米~200納米。

9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體層靠近活性層的表面進(jìn)一步包括多個第二三維納米結(jié)構(gòu)，所述第二三維納米結(jié)構(gòu)為條形凸起結(jié)構(gòu)、點狀凸起結(jié)構(gòu)或條形凸起結(jié)構(gòu)與點狀凸起結(jié)構(gòu)的組合。

10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述活性層與所述第一半導(dǎo)體層接觸的表面形成一第三三維納米結(jié)構(gòu)，所述第三三維納米結(jié)構(gòu)與所述第二三維納米結(jié)構(gòu)相配合。

11.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述活性層靠近第二半導(dǎo)體層的表面形成一平面結(jié)構(gòu)。

12.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，進(jìn)一步包括一反射層，該反射層設(shè)置于所述第一半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離活性層的表面。