[發(fā)明專利]太陽能電池的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210089075.2
• 申請日: 2012-03-30
• 公開（公告）號: CN103367525A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發(fā)明（設計）人: 金元浩;李群慶;范守善
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種太陽能電池的制備方法，其包括以下步驟：

提供一硅基板，所述硅基板具有一第一表面以及與該第一表面相對設置的一第二表面；

在所述硅基板的第二表面設置一圖案化掩膜層，所述圖案化掩膜層包括多個并排設置的擋墻，相鄰的擋墻之間形成一溝槽，所述硅基板通過該溝槽暴露出來；

對所述硅基板進行刻蝕，使每一擋墻對應的硅基板的第二表面形成一三維納米結構，所述三維納米結構為條形凸起結構，所述條形凸起結構的橫截面為弓形；

去除所述圖案化掩膜層；

在所述三維納米結構表面及相鄰三維納米結構之間的硅基板的表面形成一摻雜硅層；

提供一上電極，并將所述上電極設置于所述摻雜硅層的至少部分表面；以及

提供一背電極，將所述背電極設置于所述硅基板的第一表面，使所述背電極與所述硅基板的第一表面歐姆接觸。

2.如權利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述擋墻為直線形、折線形或曲線形，且并排延伸。

3.如權利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述擋墻按照等間距排布、同心圓環(huán)排布或同心回形排布。

4.如權利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述相鄰的兩個擋墻之間的距離為10納米~1000納米。

5.如權利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述擋墻的寬度為200納米~1000納米。

6.如權利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述擋墻的寬度為300納米~400納米，且相鄰的兩個擋墻之間的距離為100納米~200納米。

7.如權利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述在硅基板的第二表面設置一圖案化掩膜層的步驟包：

通過旋轉涂布、裂縫涂布、裂縫旋轉涂布或者干膜涂布法在所述硅基板的第二表面設置一掩膜層；

通過電子束曝光法、光刻法以及納米壓印法在所述硅基板上的掩膜層形成多個溝槽，使所述掩膜層圖案化。

8.如權利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述對硅基板進行刻蝕的方法為：通過等離子體對暴露于溝槽的硅基板進行刻蝕。

9.如權利要求8所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述等離子體刻蝕中的刻蝕氣體包括Cl₂及Ar₂氣體。

10.如權利要求9所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述Cl₂流速小于Ar₂的流速。

11.如權利要求9所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述Cl₂的流速為4?sccm～20?sccm；所述Ar₂的流速為10?sccm?~60?sccm。

12.如權利要求9所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述工作氣體形成的氣壓為2帕~10帕。