[發明專利]太陽能電池無效
| 申請號： | 201210089074.8 | 申請日： | 2012-03-30 |
| 公開（公告）號： | CN103367477A | 公開（公告）日： | 2013-10-23 |
| 發明（設計）人： | 金元浩;李群慶;范守善 | 申請（專利權）人： | 清華大學;鴻富錦精密工業（深圳）有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0352 | 分類號： | H01L31/0352;H01L31/052;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀區清*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 太陽能電池 | ||
1.一種太陽能電池，其特征在于，其包括：
一硅片襯底，所述硅片襯底具有一第一表面以及與該第一表面相對設置的一第二表面，所述硅片襯底的第二表面具有多個三維納米結構，所述三維納米結構為間隔設置的多個條形凸起結構，所述條形凸起結構的橫截面為弓形；
一背電極，所述背電極設置于所述硅片襯底的第一表面，并與該第一表面歐姆接觸；
一摻雜硅層，所述摻雜硅層設置于所述硅片襯底的第二表面；以及
一上電極，所述上電極設置于所述摻雜硅層的至少部分表面。
2.如權利要求1所述的太陽能電池，所述三維納米結構以直線、折線或曲線并排延伸。
3.如權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述三維納米結構按照等間距排布、同心圓環排布或同心回形排布。
4.如權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述三維納米結構的高度為100納米~500納米；所述三維納米結構的寬度為200納米~1000納米。
5.如權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，相鄰的兩個三維納米結構之間的距離為10納米~1000納米。
6.如權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述三維納米結構的高度為150納米~200納米；所述三維納米結構的寬度為300納米~400納米；且相鄰的兩個三維納米結構之間的距離為100納米~200納米。
7.如權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述三維納米結構的橫截面為半圓形。
8.如權利要求7所述的太陽能電池，其特征在于，所述半圓形的半徑為150納米~200納米。
9.如權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，進一步包括一本征隧道層，所述本征隧道層設置于所述硅片襯底及摻雜硅層之間。
10.如權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，進一步包括一納米級的金屬層，所述金屬層包覆于所述摻雜硅層的表面。
11.如權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述上電極通過所述多個三維納米結構部分懸空設置，并與所述摻雜硅層形成部分接觸。
12.如權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述上電極包覆于所述摻雜硅層表面，并與所述摻雜硅層形成完全接觸。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
