[發(fā)明專利]發(fā)光二極管的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210089072.9 | 申請日： | 2012-03-30 |
| 公開（公告）號： | CN103367560A | 公開（公告）日： | 2013-10-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 金元浩;李群慶;范守善 | 申請（專利權(quán)）人： | 清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀區(qū)清*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光二極管 制備 方法 | ||
1.一種發(fā)光二極管的制備方法，包括：
提供一基底預(yù)制體，所述基底預(yù)制體具有一外延生長面以及一與所述外延生長面相對的出光面；
在所述基底預(yù)制體的出光面設(shè)置一圖案化掩膜層，所述圖案化掩膜層包括多個(gè)并排設(shè)置的擋墻，相鄰的擋墻之間形成一溝槽，所述基底預(yù)制體通過該溝槽暴露出來；
對所述基底預(yù)制體進(jìn)行刻蝕，使每一擋墻對應(yīng)的基底預(yù)制體表面形成一第一三維納米結(jié)構(gòu)，所述第一三維納米結(jié)構(gòu)為條形凸起結(jié)構(gòu)，所述條形凸起結(jié)構(gòu)的橫截面為弓形；
去除所述掩膜層,?使基底預(yù)制體形成一圖案化的基底；
在所述外延生長面依次生長一第一半導(dǎo)體層、一活性層及一第二半導(dǎo)體層；
設(shè)置一第一電極與所述第一半導(dǎo)體層電連接；以及
設(shè)置一第二電極與所述第二半導(dǎo)體層電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述擋墻為直線形、折線形或曲線形，且并排延伸。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述擋墻按照等間距排布、同心圓環(huán)排布或同心回形排布。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述相鄰的兩個(gè)擋墻之間的距離為10納米~1000納米。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述擋墻的寬度為200納米~1000納米。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述擋墻的寬度為300納米~400納米，所述相鄰的兩個(gè)擋墻之間的距離為100納米~200納米。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述在基底預(yù)制體的出光面上設(shè)置一圖案化掩膜層的步驟包括：
通過旋轉(zhuǎn)涂布、裂縫涂布、裂縫旋轉(zhuǎn)涂布或者干膜涂布法在所述基底預(yù)制體的出光面設(shè)置一掩膜層；
通過電子束曝光法、光刻法以及納米壓印法在所述基底預(yù)制體上的掩膜層形成多個(gè)溝槽，使所述掩膜層圖案化。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述對基底預(yù)制體進(jìn)行刻蝕的方法為：通過等離子體對暴露于溝槽的基底預(yù)制體進(jìn)行刻蝕。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述等離子體刻蝕中的刻蝕氣體包括Cl2及Ar2氣體。
10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述Cl2流速小于Ar2的流速。
11.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述Cl2的流速為4?sccm～20?sccm；所述Ar2的流速為10?sccm?~60?sccm；所述工作氣體形成的氣壓為2帕~10帕。
12.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，在所述外延生長面生長一第一半導(dǎo)體層后，進(jìn)一步在所述第一半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離基底的表面形成多個(gè)第二三維納米結(jié)構(gòu)。
13.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，在所述外延生長面生長一第一半導(dǎo)體層以及活性層后，進(jìn)一步在所述活性層遠(yuǎn)離第一半導(dǎo)體層的表面形成一第三三維納米結(jié)構(gòu)。
14.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述設(shè)置第二電極方法具體包括：使所述第二電極完全覆蓋所述第二半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離活性層的表面。
15.如權(quán)利要求14所述的發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，進(jìn)一步在所述第二電極遠(yuǎn)離第二半導(dǎo)體層的表面設(shè)置一反射層，所述反射層完全覆蓋所述第二電極遠(yuǎn)離第二半導(dǎo)體層的表面。
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