[發明專利]硼鈹酸釔化合物、硼鈹酸釔非線性光學晶體及制備和用途

有效

• 申請號: 201210089011.2
• 申請日: 2012-03-29
• 公開（公告）號: CN103359756A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 陳創天;顏雪;王曉洋;羅思揚
• 申請（專利權）人: 中國科學院理化技術研究所
• 主分類號: C01B35/10
• 分類號: C01B35/10;H01S3/109;C30B29/22;C30B9/12;G02F1/355;G02F1/37;G02F1/39
• 代理公司: 北京法思騰知識產權代理有限公司 11318
• 代理人: 楊小蓉;楊青

1.一種α相硼鈹酸釔化合物，其化學式為α-YBe₂B₅O₁₁。

2.一種β相硼鈹酸釔化合物，其分子式為β-YBe₂B₅O₁₁。

3.一種α相硼鈹酸釔非線性光學晶體，其化學式為α-YBe₂B₅O₁₁，其晶體結構不具有對稱中心，屬于正交晶系，空間群為Pna2₁，晶胞參數為α＝β＝γ＝90°，Z＝4，單胞體積為

4.一種β相硼鈹酸釔非線性光學晶體，其化學式為β-YBe₂B₅O₁₁，其晶體結構不具有對稱中心，屬于正交晶系，空間群為Ama2，晶體參數為α＝β＝γ＝90°，Z＝4，單胞體積為

5.一種權利要求3所述的α相硼鈹酸釔非線性光學晶體的生長方法，其為助熔劑生長方法，所述助熔劑為B₂O₃-Li₂O，所述助熔劑生長方法的步驟如下：

按照摩爾比為YBe₂B₅O₁₁∶B₂O₃∶Li₂O＝1∶10-17∶1-3的比例，將分析純的氧化釔、氧化鈹、硼酸和碳酸鋰混合均勻，裝入鉑坩堝中，置于單晶生長爐中1100℃熔融，多次加料熔融后，用鉑金攪拌棒對熔體進行攪拌，使得熔體充分熔解；將熔體在晶體生長爐中恒溫1100℃約20小時，在飽和溫度以上5℃開始降溫，降溫速率為3-8℃/天，降溫區間為50℃；待物料冷卻后，用稀鹽酸和去離子水洗去助熔劑，得到毫米級化學式為α-YBe₂B₅O₁₁的透明單晶；該晶體的化學式為α-YBe₂B₅O₁₁，其結構不具有對稱中心，屬于正交晶系，空間群為Pna2₁，晶胞參數為α＝β＝γ＝90°，Z＝4，單胞體積為

6.一種權利要求3所述的α相硼鈹酸釔非線性光學晶體的生長方法，其為助熔劑生長方法，其步驟如下：按照摩爾比為YBe₂B₅O₁₁∶B₂O₃∶Li₂O＝1∶10-17∶1-3的比例，將分析純的氧化釔、氧化鈹、硼酸和碳酸鋰混合均勻，裝入鉑坩堝中，置于單晶生長爐中1100℃熔融，多次加料熔融后，用鉑金攪拌棒對熔體進行攪拌，使得熔體充分熔解；將熔體在晶體生長爐中恒溫1100℃約20小時，待物料充分熔融，降溫至飽和溫度以上5-10℃，把裝在籽晶桿上的籽晶放入熔體中，同時以10-100轉/分的速率旋轉籽晶桿，降溫至飽和溫度，再以1-3℃/天的速率緩慢降溫，降溫結束后，得到所需尺寸的晶體，將晶體提離液面，以10-30℃/小時的速率降至室溫，得到較大尺寸的α-YBe₂B₅O₁₁非線性光學晶體；該晶體的化學式為α-YBe₂B₅O₁₁，其結構不具有對稱中心，屬于正交晶系，空間群為Pna2₁，晶胞參數為α＝β＝γ＝90°，Z＝4，單胞體積為