[發(fā)明專利]一種太陽能電池用基底的處理工藝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210088890.7
• 申請日: 2012-03-29
• 公開（公告）號: CN103367524B
• 公開（公告）日: 2017-03-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 汪琴霞
• 申請（專利權(quán)）人: 中建材浚鑫科技股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 逯長明,王寶筠

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及太陽能電池制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種太陽能電池用基底的處理工藝。

背景技術(shù)

近年來，隨著清潔能源的不斷倡導和推廣使用，太陽能電池得到快速發(fā)展，并被越來越多的應用到諸多領(lǐng)域，但是，太陽能電池中光利用率的提高始終是制約太陽能電池發(fā)展的關(guān)鍵因素。

目前，常規(guī)的太陽能電池的制造工藝包括酸或堿刻蝕形成絨面、離子擴散、邊緣的磷硅玻璃(boro-phospho-silicate-glass，PSG)刻蝕、形成抗反射層、絲網(wǎng)印刷燒結(jié)、分檢測試等步驟。其中，酸或堿刻蝕形成絨面是為了使太陽能電池的受光面形成粗糙的表面，以降低射入太陽能電池內(nèi)部的光線從受光面折射出去的幾率；同時，在太陽能電池的受光面形成抗反射層，能夠進一步降低太陽能電池內(nèi)部的光線從受光面折射出去的幾率，提高光線的利用率，從而提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，通過這種方式，太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率可以達到16％-17％。

另一方面，太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率與太陽能電池的工作電壓有密切關(guān)系，其他參數(shù)相同的情況下，工作電壓越大，光電轉(zhuǎn)換效率越高。而工作電壓通常與太陽能電池基底背面的歐姆接觸有關(guān)，歐姆接觸越好，工作電壓越大。但是，現(xiàn)有的太陽能電池的基底背面的歐姆接觸一般較差，這在很大程度上限制了太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率的進一步提高。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠提高的太陽能電池基底背面的歐姆接觸的處理工藝，以解決現(xiàn)有技術(shù)中太陽能電池基底背面的歐姆接觸較差導致太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率無法進一步提高的缺陷。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的一個實施例提供一種太陽能電池用基底的處理工藝，包括

提供太陽能電池用基底；

對所述基底進行制絨處理；

對所述基底進行離子擴散處理；

去除所述基底邊緣的磷硅玻璃；

在所述基底的正面形成抗反射層；

其中，所述去除所述基底邊緣的磷硅玻璃前還包括：

使用拋光液對所述基底的背面進行拋光處理。

優(yōu)選地，所述使用拋光液對所述基底的背面進行拋光處理前，還包括：

去除所述基底背面的磷硅玻璃。

優(yōu)選地，所述拋光液包括有機堿，所述有機堿為四甲基氫氧化銨，所述四甲基氫氧化銨的體積分數(shù)為3％-5％。

優(yōu)選地，所述拋光處理的溫度為70℃-85℃，所述拋光處理的時間為90s-200s。

優(yōu)選地，所述四甲基氫氧化銨的體積分數(shù)為4％，所述拋光處理的溫度為80℃，所述拋光處理的時間為120s。

根據(jù)本發(fā)明實施例提供用的太陽能電池用基底的處理工藝，通過在去除該基底邊緣的磷硅玻璃之前使用拋光液對該基底的背面進行拋光處理，使得太陽能電池用基底的背面更加平整，由于基底的背面變得平整了，從而使太陽能電池基底的背面有更好的歐姆接觸，能夠進一步提高太陽能電池的工作電壓，進而提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。另一方面，太陽能電池的基底背面更加平整，能夠使射入光線在太陽能電池內(nèi)部能夠被多次反射反復利用，增加了太陽能電池對入射光線的利用率，提升太陽能電池的電流，從而提高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實施例的太陽能電池用基底的處理工藝的流程圖；

圖2是本發(fā)明另一實施例的太陽能電池用基底的處理工藝的流程圖；

圖3是本發(fā)明另一實施例的沒有經(jīng)過拋光處理的多晶硅片背面的形貌圖；

圖4是本發(fā)明另一實施例的經(jīng)過后的拋光處理的多晶硅片背面的形貌圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

本發(fā)明實施例提供一種太陽能電池用基底的處理工藝，以提高基底背面的平整度，從而提高太陽能電池基底背面的歐姆接觸，進而提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。如圖1所示為其流程圖，該處理工藝包括：