[發明專利]等離子體氮化處理方法

無效

• 申請號: 201210088845.1
• 申請日: 2012-03-29
• 公開（公告）號: CN102737977A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 大崎良規;黑田豪
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 金世煜;苗堃

1.一種等離子體氮化處理方法，其特征在于，是使用等離子體處理裝置對氮化硅膜進行等離子體氮化處理的等離子體氮化處理方法，其中，所述等離子體處理裝置具備：

在上部具有開口的處理容器，

在所述處理容器內載置具有所述氮化硅膜的被處理體的載置臺，

加熱所述被處理體的加熱機構，

與所述載置臺相對地設置的、堵塞所述處理容器的開口且使微波透過的微波透過板，

設置于比所述微波透過板外側的、具有多個用于將微導波入所述處理容器內的隙縫的平面天線，

將處理氣體導入所述處理容器內的氣體導入部，

對所述處理容器內進行減壓排氣的排氣裝置；

所述等離子體氮化處理方法具備以下工序：

將所述被處理體送入所述處理容器內，載置于所述載置臺的工序，

利用所述加熱機構對所述被處理體進行加熱的工序，

從所述氣體導入部向所述處理容器內供給含有含氮氣體和稀有氣體的處理氣體，且使所述微波從所述平面天線透過所述微波透過板而導入所述處理容器內，在該處理容器內生成電場，激發所述含有含氮氣體和稀有氣體的處理氣體而生成等離子體的工序，

利用生成的所述處理氣體的等離子體，將所述被處理體上的所述氮化硅膜進行等離子體氮化處理而進行重整的工序；其中，

所述氮化硅膜是利用ALD法在200℃～400℃的成膜溫度下成膜的氮化硅膜，并且在以所述ALD法中的所述成膜溫度為上限的處理溫度下，對所述氮化硅膜進行等離子體氮化處理，從而形成利用低溫含氮等離子體而重整了的氮化硅膜。

2.根據權利要求1所述的等離子體氮化處理方法，其中，所述等離子體氮化處理工序的處理壓力為1.3Pa～67Pa的范圍內，含氮氣體相對于全部處理氣體的體積流量比為5％～30％的范圍內。

3.根據權利要求1或2所述的等離子體氮化處理方法，其中，所述微波的功率密度是在所述微波透過板的面積中為0.5W/cm²～2.5W/cm²的范圍內。