[發(fā)明專利]非晶硅薄膜中間帶材料及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210088816.5
• 申請日: 2012-03-29
• 公開（公告）號: CN102544243A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曹權(quán);周天微;左玉華;王啟明
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
• 主分類號: H01L31/20
• 分類號: H01L31/20;H01L31/0376
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 宋焰琴

1.一種非晶硅薄膜中間帶材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

選擇襯底的材料并對襯底進(jìn)行預(yù)處理；

在預(yù)處理過的襯底表面生長高濃度摻雜的非晶硅薄膜；

對生長完成的非晶硅薄膜進(jìn)行退火。

2.如權(quán)利要求1所述的非晶硅薄膜中間帶材料的制備方法，其特征在于，所述高濃度摻雜是指摻雜濃度高于該材料在硅中形成中間帶的最低濃度。。

3.如權(quán)利要求2所述的非晶硅薄膜中間帶材料的制備方法，其特征在于，所述襯底的材料為單晶硅、石英、玻璃、或者不銹鋼。

4.如權(quán)利要求2所述的非晶硅薄膜中間帶材料的制備方法，其特征在于，所述生長高濃度摻雜的非晶硅薄膜的步驟中，摻雜材料由能在硅的禁帶中形成能級的元素構(gòu)成。

5.如權(quán)利要求4所述的非晶硅薄膜中間帶材料的制備方法，其特征在于，所述摻雜材料為鈦、鋁、銦、鎂或硫。

6.如權(quán)利要求2所述的非晶硅薄膜中間帶材料的制備方法，其特征在于，所述生長高濃度摻雜的非晶硅薄膜的步驟是在不高于400℃的溫度下進(jìn)行的。

7.如權(quán)利要求6所述的非晶硅薄膜中間帶材料的制備方法，其特征在于，所述生長高濃度摻雜的非晶硅薄膜的步驟是在氫氣的氣氛中進(jìn)行的。

8.如權(quán)利要求2所述的非晶硅薄膜中間帶材料的制備方法，其特征在于，對生長完成的非晶硅薄膜進(jìn)行退火的步驟是在氮氣或者氫氣的氣氛中進(jìn)行的。

9.如權(quán)利要求8所述的非晶硅薄膜中間帶材料的制備方法，其特征在于，對生長完成的非晶硅薄膜進(jìn)行退火的步驟是在不高于400℃的溫度下進(jìn)行的。

10.一種非晶硅薄膜中間帶材料，其特征在于，該材料由權(quán)利要求1-9中的任一項所述的制備方法制備而得，其在近紅外波段的吸收率為50％以上。