[發明專利]發光器件，發光器件封裝以及光單元

無效

• 申請號: 201210088795.7
• 申請日: 2012-03-29
• 公開（公告）號: CN102881798A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 姜大成;崔洛俊;丁圣勛;韓永勛;孫圣珍
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/00;F21S2/00
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 夏凱;謝麗娜

1.一種發光器件，包括：

第一導電半導體層，所述第一導電半導體層在其上表面上提供粗糙部分，并包括PEC蝕刻控制層；

有源層，所述有源層在所述第一導電半導體層之下；

第二導電半導體層，所述第二導電半導體層在所述有源層之下；

反射電極，所述反射電極電連接至所述第二導電半導體層；以及

第一電極，所述第一電極電連接至所述第一導電半導體層。

2.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述PEC蝕刻控制層包括絕緣層。

3.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述PEC蝕刻控制層是包括Al的絕緣層。

4.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述PEC蝕刻控制層包括AlN層。

5.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述PEC蝕刻控制層具有零(0)的載流子濃度。

6.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述PEC蝕刻控制層的一部分區域通過所述粗糙部分暴露。

7.一種制造發光器件的方法，包括：

在襯底上形成包括PEC蝕刻控制層的第一導電半導體層；

在所述第一導電半導體層上形成有源層；

在所述有源層上形成第二導電半導體層；

在所述第二導電半導體層上形成反射電極；

在所述反射電極上形成支撐構件；

去除所述襯底；

對暴露的第一導電半導體層執行PEC蝕刻，以在所述第一導電半導體層的頂表面上形成粗糙部分。

8.根據權利要求7所述的制造發光器件的方法，其中，所述PEC蝕刻控制層包括絕緣層。

9.根據權利要求7所述的制造發光器件的方法，其中，所述PEC蝕刻控制層是包括Al的絕緣層。

10.根據權利要求7所述的制造發光器件的方法，其中，所述PEC蝕刻控制層包括AlN層。

11.根據權利要求7所述的制造發光器件的方法，其中，所述PEC蝕刻控制層具有零(0)的載流子濃度。

12.根據權利要求7所述的制造發光器件的方法，其中，所述PEC蝕刻控制層的一部分通過所述粗糙部分暴露。

13.一種發光器件封裝，包括：

主體；

根據權利要求1至6中任意一項所述的發光器件，所述發光器件設置在所述主體上；以及

第一引線電極和第二引線電極，所述第一引線電極和第二引線電極連接至所述發光器件。

14.一種光單元，包括：

板；

根據權利要求1至6中任意一項所述的發光器件，所述發光器件設置在所述板上；以及

光學構件，所述光學構件使從所述發光器件提供的光通過。