[發明專利]半導體器件制造方法

有效

• 申請號: 201210088770.7
• 申請日: 2012-03-29
• 公開（公告）號: CN103367227A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 尹海洲;蔣葳
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京藍智輝煌知識產權代理事務所(普通合伙) 11345
• 代理人: 陳紅

1.一種半導體器件制造方法，包括步驟：

在襯底中形成第一淺溝槽隔離；

在第一淺溝槽隔離包圍的有源區內形成半導體器件結構；

去除第一淺溝槽隔離，在襯底中留下淺溝槽；

在淺溝槽中填充絕緣材料，形成第二淺溝槽隔離。

2.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，去除第一淺溝槽隔離的步驟進一步包括：

在襯底、第一淺溝槽隔離以及半導體器件結構上沉積層間介質層；

刻蝕層間介質層形成開口，暴露第一淺溝槽隔離；

刻蝕第一淺溝槽隔離，直至暴露襯底，形成淺溝槽。

3.如權利要求3的半導體器件制造方法，其中，開口寬度比第一淺溝槽隔離的寬度大。

4.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，第一淺溝槽隔離和/或第二淺溝槽隔離的材質包括高應力的氧化硅、氮化硅、類金剛石無定形碳、金屬氧化物。

5.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，第一淺溝槽隔離和/或第二淺溝槽隔離具有的應力大小大于1GPa。

6.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，第一淺溝槽隔離具有的第一應力與第二淺溝槽隔離具有的第二應力類型相同。

7.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，第一淺溝槽隔離具有的第一應力與第二淺溝槽隔離具有的第二應力類型不同，并且第二應力的大小大于第一應力的大小。