[發明專利]大馬士革結構的制作方法

有效

• 申請號: 201210088627.8
• 申請日: 2012-03-29
• 公開（公告）號: CN103367233A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 胡敏達;張城龍;張海洋
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種大馬士革結構的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在金屬導電層上依次形成介電層、掩模層；

以至少經過一次圖形化處理的所述掩模層為掩模、對所述介電層進行刻蝕，在所述介電層中形成暴露所述金屬導電層的溝槽、孔；

利用包含濃雙氧水與EKC575的溶液對所述溝槽、孔進行第一清洗處理；

第一清洗處理之后，在等離子體反應腔室中利用包含N2與H2的混合氣體對所述溝槽、孔進行處理；

利用稀氫氟酸對所述溝槽、孔進行第二清洗處理。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述掩模層包括金屬硬掩模。

3.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述金屬硬掩模的材質包括TiN、BN。

4.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述濃雙氧水的質量百分比濃度為35％。

5.根據權利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述濃雙氧水與EKC575的體積比為1∶6～1∶3。

6.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一清洗處理的時間為90s～150s。

7.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，利用包含N₂與H₂的混合氣體對所述溝槽、孔進行處理的過程中，工藝條件為：N₂的流量為10sccm～100sccm，H₂的流量為10sccm～20sccm，壓力為5Torr～100Torr，功率為100W～500W，射頻功率為2MHz～60MHz，時間為8s～30s。

8.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述稀氫氟酸是由質量百分比濃度為49％的濃氫氟酸與水按照500∶1～2000∶1的體積比混合而成。

9.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二清洗處理的時間為10s～25s。

10.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述介電層為低k介電材料。