[發明專利]鰭式場效應管的形成方法

有效

• 申請號: 201210088604.7
• 申請日: 2012-03-29
• 公開（公告）號: CN103367253A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 三重野文健
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一區域、與所述第一區域相隔的第二區域、以及第一區域和第二區域之間的隔離區；

形成貫穿所述第一區域的基底的第一鰭部，以及貫穿所述第二區域的基底的第二鰭部，所述第一鰭部的表面高于所述基底表面，所述第二鰭部的表面高于所述基底表面；

形成橫跨所述第一鰭部和第二鰭部的柵極結構；

形成位于所述柵極結構兩側的第一外延層和第二外延層，所述第一外延層包裹暴露于基底表面的第一鰭部，所述第二外延層包裹暴露于基底表面的第二鰭部，所述第一外延層和第二外延層均具有第一應力類型；

在形成第一外延層和第二外延層后，形成覆蓋所述第二外延層、但暴露出第一外延層的掩膜層；

以所述掩膜層為掩膜，去除所述第一外延層和部分第一鰭部，形成開口；

在所述開口內形成第三外延層，所述第三外延層具有第二應力類型，所述第二應力類型與所述第一應力類型相反。

2.如權利要求1所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，所述第一外延層和第二外延層在同一工藝步驟中形成，所述第一外延層和第二外延層的形成方法為選擇性外延沉積工藝。

3.如權利要求1所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，當所述第一區域用于形成n型鰭式場效應管，所述第二區域用于形成p型鰭式場效應管時，所述第一應力類型為壓應力型，第二應力類型為拉應力型。

4.如權利要求1所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，當所述第一區域用于形成p型鰭式場效應管，所述第二區域用于形成n型鰭式場效應管時，所述第一應力為拉應力型，第二應力類型為壓應力型。

5.如權利要求3或4所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，所述壓應力型的材料為SiGe。

6.如權利要求3或4所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，所述拉應力型的材料為SiP或SiC。

7.如權利要求1所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，還包括：形成第一外延層和第二外延層后，去除部分厚度的基底。

8.如權利要求7所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，還包括：去除部分厚度的基底后，形成覆蓋所述第一外延層和第二外延層的應力層。

9.如權利要求8所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，還包括：形成覆蓋所述應力層的可流動絕緣層。

10.如權利要求7所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，還包括：去除部分厚度的基底后，形成覆蓋所述第一外延層和第二外延層的可流動絕緣層。

11.如權利要求10所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，還包括：形成覆蓋所述可流動絕緣層的應力層。

12.如權利要求8或11所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，所述應力層具有第一應力類型。

13.如權利要求9或10所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，所述可流動絕緣層的材料為氧化硅或氮化硅。

14.如權利要求9或10所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，所述可流動絕緣層的形成步驟為：形成覆蓋所述應力層或覆蓋所述第一外延層和第二外延層的可流動薄膜；對所述可流動薄膜進行氧化或氮化處理。

15.如權利要求14所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，所述可流動薄膜的材料為硼磷硅玻璃、硼硅玻璃、磷硅玻璃、聚乙烯氧化硅、聚乙烯氮化硅或正硅酸乙酯。

16.如權利要求14所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，對所述可流動薄膜進行氧化處理時采用的氣體為氧氣或臭氧。

17.如權利要求16所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，當采用臭氧對所述可流動薄膜進行氧化處理時，其工藝參數包括：反應腔的壓強為600-760托，反應溫度為150-300℃，反應時間為8-15分鐘。

18.如權利要求16所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，當采用氧氣對所述可流動薄膜進行等離子氧化處理時，其工藝參數包括：反應腔的壓強為600-760托，反應溫度為300-500℃，反應時間為15-50秒。