[發(fā)明專利]通用的多種材料間全限制量子點的自對準制備方法

無效

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• 申請日: 2012-03-29
• 公開（公告）號: CN102623307A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發(fā)明（設計）人: 付英春;王曉峰;張加勇;白云霞;梁秀琴;馬慧莉;季安;楊富華
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;B82Y40/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 湯保平

1.一種通用的多種材料間全限制量子點的自對準制備方法，該方法包括：

步驟1：在襯底上生長一層抗腐蝕的電熱絕緣材料層，在該電熱絕緣材料層上依次淀積第一功能材料層和犧牲材料層；

步驟2：在犧牲材料層上旋涂SU-8膠并電子束曝光，形成縱向的條形納米量級SU-8膠掩模；

步驟3：通過該SU-8膠掩模，干法刻蝕至電熱絕緣材料層的上表面；

步驟4：在電熱絕緣材料層、條形的第一功能材料層、犧牲材料層和SU-8膠掩模結構的裸露表面，淀積第二功能材料層；

步驟5：在第二功能材料層上旋涂SU-8膠并電子束曝光，形成橫向的條形納米量級的SU-8膠條，并跨越由第一功能材料層、犧牲材料層和SU-8膠掩模疊成的縱向條形結構；

步驟6：通過SU-8膠條掩模，干法刻蝕第二功能材料層至電熱絕緣材料層的上表面；

步驟7：腐蝕去除犧牲材料層，暴露出第二功能材料層下方以外的第一功能材料層；

步驟8：通過第二功能材料層上部的SU-8膠條掩模，干法刻蝕去除第二功能材料層下方以外的第一功能材料層；

步驟9：超聲-剝離，制備出第一功能材料層全限制在第二功能材料層間的水平器件結構，完成制備。

2.根據(jù)權利要求1所述的通用的多種材料間全限制量子點的自對準制備方法，其中襯底的材料為硅、氮化鎵、藍寶石、碳化硅、砷化鎵或者玻璃。

3.根據(jù)權利要求1所述的通用的多種材料間全限制量子點的自對準制備方法，其中電熱絕緣材料層是氮氧化合物、氮化物、氧化物，或者是這幾種化合物構成的混合物。

4.根據(jù)權利要求3所述的通用的多種材料間全限制量子點的自對準制備方法，其中電熱絕緣材料層是通過濺射法、蒸鍍法、化學氣相淀積法、激光輔助淀積法、原子層淀積法、熱氧化法、金屬有機物熱分解法中的一種或者幾種制備。

5.根據(jù)權利要求1所述的通用的多種材料間全限制量子點的自對準制備方法，其中第一功能材料層是相變材料、砷化鎵、氮化鎵、石墨烯、超導材料、鐵磁材料。

6.根據(jù)權利要求5所述的通用的多種材料間全限制量子點的自對準制備方法，其中第一功能材料層是通過濺射法、蒸鍍法、化學氣相淀積法、激光輔助淀積法、原子層淀積法、熱氧化法、金屬有機物熱分解法中的一種或者幾種制備。

7.根據(jù)權利要求1所述的通用的多種材料間全限制量子點的自對準制備方法，其中犧牲材料層是金屬、硅的氧化物、氮化物、氮氧化物、多晶硅。

8.根據(jù)權利要求7所述的通用的多種材料間全限制量子點的自對準制備方法，其中犧牲材料層是通過濺射法、化學氣相淀積法、激光輔助淀積法、原子層淀積法、熱氧化法、金屬有機物熱分解法中的一種或者幾種制備。

9.根據(jù)權利要求1所述的通用的多種材料間全限制量子點的自對準制備方法，其中SU-8膠掩模是SU-8膠全系列。

10.根據(jù)權利要求8所述的通用的多種材料間全限制量子點的自對準制備方法，其中SU-8膠掩模是通過旋涂SU-8膠后，電子束曝光、X射線曝光、365nm汞燈曝光中的一種或者幾種搭配制備。

11.根據(jù)權利要求1所述的通用的多種材料間全限制量子點的自對準制備方法，其中第二功能材料層與第一功能材料相同，或是硅、多晶硅、鎢、氮化鈦、鎳、鋁、鈦、金、銀、銅、鉑、氮化鎢，或者它們的合金；

12.根據(jù)權利要求11所述的通用的多種材料間全限制量子點的自對準制備方法，其中第二功能材料層是通過濺射法、蒸鍍法、化學氣相淀積法、激光輔助淀積法、原子層淀積法、熱氧化法、金屬有機物熱分解法中的一種或者幾種制備。