[發明專利]一種碳化硅晶須增韌二硼化鋯陶瓷的制備工藝

有效

• 申請號: 201210088399.4
• 申請日: 2012-03-30
• 公開（公告）號: CN102603344A
• 公開（公告）日: 2012-07-25
• 發明（設計）人: 王海龍;馮倫;范冰冰;張銳;陳建寶;陳德良;盧紅霞;許紅亮;楊道媛
• 申請（專利權）人: 鄭州大學
• 主分類號: C04B35/81
• 分類號: C04B35/81;C04B35/58;C04B35/622
• 代理公司: 鄭州聯科專利事務所(普通合伙) 41104
• 代理人: 時立新;黃偉

1.一種碳化硅晶須增韌二硼化鋯陶瓷的制備工藝，其特征在于，采用溶膠凝膠法在ZrB₂顆粒表面包裹SiO₂，經干燥、研磨后加入活性炭進行充分混合，混合料在流動氬氣氣氛保護下加熱，利用SiO₂-C之間的碳熱還原反應在ZrB₂表面原位生成SiC_w，得到ZrB₂-SiC_w粉體，然后燒結制備出碳化硅晶須增韌二硼化鋯陶瓷材料。

2.如權利要求1所述的碳化硅晶須增韌二硼化鋯陶瓷的制備工藝，其特征在于，混合料在流動氬氣氣氛保護下加熱至1450-1600℃保溫2-3h得到ZrB₂-SiC_w粉體。

3.如權利要求2所述的碳化硅晶須增韌二硼化鋯陶瓷的制備工藝，其特征在于，將正硅酸乙酯、無水乙醇和蒸餾水按照物質的量比為1:6:1.7混合并調節pH為3-4，反應獲得SiO₂后加入ZrB₂粉體均勻混合實現SiO₂對ZrB₂顆粒表面均勻包裹，然后調節pH值至8-9，靜置5-10min形成凝膠。

4.如權利要求3所述的碳化硅晶須增韌二硼化鋯陶瓷的制備工藝，其特征在于，將ZrB₂-SiC_w粉體采用放電等離子燒結技術，在1600-1800?℃、30-50MPa壓力下保壓5-15min制備出ZrB₂-SiC_w陶瓷復合塊體材料。

5.如權利要求4所述的碳化硅晶須增韌二硼化鋯陶瓷的制備工藝，其特征在于，混合料以升溫速度為5-10℃/min升溫至1450-1600℃。

6.如權利要求5所述的碳化硅晶須增韌二硼化鋯陶瓷的制備工藝，其特征在于，獲得的ZrB₂-SiC_w粉體以50-200℃/min的升溫速度升溫至燒結溫度。

7.如權利要求6所述的碳化硅晶須增韌二硼化鋯陶瓷的制備工藝，其特征在于，將所述凝膠于60-80℃干燥12-24h。

8.如權利要求1-7任一所述的碳化硅晶須增韌二硼化鋯陶瓷的制備工藝，其特征在于，正硅酸乙酯與活性炭的物質的量比為1:3。