[發(fā)明專利]一種金屬納米薄膜厚度的檢測方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210088205.0 | 申請日： | 2012-03-29 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102620642A | 公開（公告）日： | 2012-08-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李壯;溫志偉;張悅;許富剛;孫玉靜;石巖;戴海潮 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院長春應(yīng)用化學(xué)研究所 |
| 主分類號(hào)： | G01B7/06 | 分類號(hào)： | G01B7/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 魏曉波;逯長明 |
| 地址： | 130022 吉*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 金屬 納米 薄膜 厚度 檢測 方法 | ||
1.一種金屬納米薄膜厚度的檢測方法，包括以下步驟：
a)檢測待測金屬納米薄膜的電阻，得到所述金屬納米薄膜的電阻值；
b)根據(jù)所述步驟a)得到的電阻值和預(yù)先制定的金屬納米薄膜厚度與金屬納米薄膜的電阻值之間的標(biāo)準(zhǔn)曲線，得到所述金屬納米薄膜的厚度；
所述標(biāo)準(zhǔn)曲線為金屬納米薄膜電阻值的對數(shù)與所述金屬納米薄膜厚度的倒數(shù)之間的標(biāo)準(zhǔn)曲線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測方法，其特征在于，所述金屬納米薄膜電阻值的對數(shù)為所述金屬納米薄膜電阻值的自然對數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測方法，其特征在于，所述金屬納米薄膜為厚度小于70nm的金屬納米薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的檢測方法，其特征在于，所述金屬納米薄膜為厚度小于等于50nm的金屬納米薄膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4任意一項(xiàng)所述的檢測方法，其特征在于，所述金屬納米薄膜為厚度大于等于3nm的金屬納米薄膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測方法，其特征在于，所述金屬納米薄膜的材質(zhì)為純金屬或金屬合金。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的檢測方法，其特征在于，所述金屬納米薄膜為鉑納米薄膜、銀納米薄膜或金納米薄膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測方法，其特征在于，所述步驟a)具體為：
采用萬用表檢測待測金屬納米薄膜的電阻，得到所述金屬納米薄膜的電阻值。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測方法，其特征在于，所述步驟b)中的標(biāo)準(zhǔn)曲線由以下方法獲得：
檢測得到金屬納米薄膜的標(biāo)準(zhǔn)厚度；
檢測所述金屬納米薄膜的電阻，得到所述金屬納米薄膜的電阻值；
根據(jù)所述金屬納米薄膜的電阻值，得到所述金屬納米薄膜電阻值的對數(shù)；
根據(jù)所述金屬納米薄膜的標(biāo)準(zhǔn)厚度的倒數(shù)與所述金屬納米薄膜電阻值的對數(shù)，得到標(biāo)準(zhǔn)曲線。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的檢測方法，其特征在于，所述檢測得到金屬納米薄膜的標(biāo)準(zhǔn)厚度具體為：
采用原子力顯微鏡檢測得到金屬納米薄膜的標(biāo)準(zhǔn)厚度。
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