[發(fā)明專利]一種改善硼硅酸鹽玻璃熔化均勻性的結(jié)構(gòu)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210088047.9
• 申請日: 2012-03-29
• 公開（公告）號: CN102643011A
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張峰;楊國洪
• 申請（專利權(quán)）人: 彩虹顯示器件股份有限公司
• 主分類號: C03B5/235
• 分類號: C03B5/235;C03B5/193;C03B5/23
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200
• 代理人: 陸萬壽

1.一種減少投料區(qū)配合料硼揮發(fā)的結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括在池爐投料區(qū)至少有一個配合料的預(yù)熔區(qū)，預(yù)熔區(qū)提供配合料表面迅速發(fā)生固-固反應(yīng)的條件，減少粉狀配合料在高溫下硼的揮發(fā)；預(yù)熔區(qū)向池爐外側(cè)有延伸，用于縮短池爐內(nèi)料山的長度。

2.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述預(yù)熔區(qū)的出料端與池爐內(nèi)部高溫空間相連通，預(yù)熔區(qū)至少有一個投料端和一個出料端。

3.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述預(yù)熔區(qū)包括前壁，左右壁和上蓋、前壁、左右壁和上蓋都使用非金屬耐火材料砌筑。

4.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述預(yù)熔區(qū)縱向長度D3長度大于等于液面深度的0.5倍。

5.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述預(yù)熔區(qū)可具有至少一個投料口，每個投料口可容納至少一個投料機。

6.一種減少玻璃液表面硼揮發(fā)的方法，其特征在于：投料區(qū)的配合料由兩側(cè)電極設(shè)備加熱融化；池爐出料口處燃槍孔配套一個冷卻氣補償口。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于：所述冷卻氣是空氣或氧氣。

8.一種減少熔爐底部富鋁層的堆積的結(jié)構(gòu)，其特征在于：熔爐出料口下沿到池爐的距離較小，避免池底富鋁層玻璃熔體在熔爐內(nèi)的堆積，該距離小于等于液面深度的0.25倍。

9.一種使用氣體均化玻璃熔體的方法，其特征在于：將氣體從池底鼓入玻璃熔體，使玻璃熔體均化，鼓入氣體的裝置位于池爐縱向長度的后2/3區(qū)域內(nèi)，即D2＝2D1。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于：所述鼓入氣體的是空氣或氧氣。