[發明專利]一種低功耗吞吐脈沖式分頻器電路有效
| 申請號: | 201210087794.0 | 申請日: | 2012-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN102664624A | 公開(公告)日: | 2012-09-12 |
| 發明(設計)人: | 高海軍;孫玲玲 | 申請(專利權)人: | 杭州電子科技大學 |
| 主分類號: | H03L7/18 | 分類號: | H03L7/18 |
| 代理公司: | 杭州求是專利事務所有限公司 33200 | 代理人: | 杜軍 |
| 地址: | 310018 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 功耗 吞吐 脈沖 分頻器 電路 | ||
1.?一種低功耗吞吐脈沖式分頻器電路,包括雙模前置預分頻器(F)、可編程計數器(P)和吞吐脈沖計數器(S);雙模前置預分頻器(F)的時鐘輸入端(CKf)接外部輸入時鐘信號(Fin),模式控制信號輸入端(MCf)與吞吐脈沖計數器(S)的模式控制信號輸出端(MCs)連接,分頻輸出端(Foutf)與吞吐脈沖計數器(S)的時鐘輸入端(CKs)和可編程計數器(P)的時鐘輸入端(CKp)連接,可編程計數器(P)的分頻輸出端(Foutp)作為整個分頻器電路的分頻輸出端(Fout),并與吞吐脈沖計數器(S)的重置端(resets)和可編程計數器(P)的重置端(resetp)連接;
所述的雙模前置預分頻器(F)包括兩個D觸發器、一個二輸入或門(OR)、一個二輸入與門(AND);二輸入或門(OR)的輸出端與第一D觸發器(D1)的數據輸入端(D)連接,二輸入或門(OR)的一個輸入端和二輸入與門(AND)的一個輸入端與第一D觸發器(D1)的反相端出端(QB)連接,二輸入與門(AND)的另一個輸入端與第二D觸發器(D2)的使能輸入端(en)連接作為模式控制信號輸入端(MCf),二輸入與門(AND)的輸出端與第二D觸發器(D2)的數據輸入端(D)連接,二輸入或門(OR)的另一個輸入端與第二D觸發器(D2)的同相輸出端(Q)連接,第一D觸發器(D1)的同相輸出端(Q)作為分頻輸出端(Foutf),第一D觸發器(D1)的時鐘輸入端(CLK)和第二D觸發器(D2)的時鐘輸入端(CLK)連接作為雙模前置預分頻器(F)的時鐘輸入端(CKf);
?所述的第一D觸發器(D1)包括六個NMOS管和五個PMOS管;第一NMOS管(MN1)的柵極和第一PMOS管(MP1)的柵極連接作為第一D觸發器(D1)的數據輸入端(D),第五PMOS管(MP5)的漏極和第六NMOS管(MN6)的漏極連接作為第一D觸發器(D1)的同相輸出端(Q);第二PMOS管(MP2)的源極與第一PMOS管(MP1)的漏極連接,第一NMOS管(MN1)的漏極和第二PMOS管(MP2)的漏極與第三NMOS管(MN3)的柵極連接;第二NMOS管(MN2)的漏極與第三NMOS管(MN3)的源極連接,第三NMOS管(MN3)的漏極、第三PMOS管(MP3)的漏極、第四NMOS管(MN4)的柵極與第四PMOS管(MP4)的柵極連接;第四NMOS管(MN4)的漏極與第五NMOS管(MN5)的源極連接,第五NMOS管(MN5)的漏極、第四PMOS管(MP4)的漏極、第六NMOS管(MN6)的柵極與第五PMOS管(MP5)的柵極連接,作為第一D觸發器(D1)的反相輸出端(QB);第二PMOS管(MP2)的柵極、第二NMOS管(MN2)的柵極、第三PMOS管(MP3)的柵極、第五NMOS管(MN5)的柵極連接作為第一D觸發器(D1)時鐘輸入端(CLK);第一NMOS管(MN1)的源極、第二NMOS管(MN2)的源極、第四NMOS管(MN4)的源極、第六NMOS管(MN6)的源極接地;第一PMOS管(MP1)的源極、第三PMOS管(MP3)的源極、第四PMOS管(MP4)的源極、第五PMOS管(MP5)的源極接電源(VDD);
所述的第二D觸發器(D2)包括七個NMOS管和六個PMOS管;第七NMOS管(MN7)的柵極和第六PMOS管(MP6)的柵極連接作為第二D觸發器(D2)的數據輸入端(D),第十一PMOS管(MP11)的漏極和第十二NMOS管(MN12)的漏極連接作為第二D觸發器(D2)的同相輸出端(Q);第七PMOS管(MP7)的源極與第六PMOS管(MP6)的漏極連接,第七NMOS管(MN7)的漏極和第七PMOS管(MP7)的漏極與第九NMOS管(MN9)的柵極連接;第八NMOS管(MN8)的漏極與第九NMOS管(MN9)的源極連接,第九NMOS管(MN9)的漏極、第八PMOS管(MP8)的漏極、第十NMOS管(MN10)的柵極與第九PMOS管(MP9)的柵極連接;第十NMOS管(MN10)的漏極與第十一NMOS管(MN11)的源極連接,第十一NMOS管(MN11)的漏極、第九PMOS管(MP9)的漏極、第十PMOS管(MP10)的漏極、第十二NMOS管(MN12)的柵極與第十一PMOS管(MP11)的柵極連接,作為第二D觸發器(D2)的反相輸出端(QB);第七PMOS管(MP7)的柵極、第八NMOS管(MN8)的柵極、第八PMOS管(MP8)的柵極、第十一NMOS管(MN11)的柵極連接作為第二D觸發器(D2)時鐘輸入端(CLK);第十PMOS管(MP10)的柵極和第十三NMOS管(MN13)的柵極連接作為使能輸入端(en);第八NMOS管(MN8)的源極和第十NMOS管(MN10)的源極與第十三NMOS管(MN13)的漏極連接,第七NMOS管(MN7)的源極、第十三NMOS管(MN13)的源極、第十二NMOS管(MN12)的源極接地;第六PMOS管(MP6)的源極、第八PMOS管(MP8)的源極、第九PMOS管(MP9)的源極、第十PMOS管(MP10)的源極、第十一PMOS管(MP11)的源極接電源(VDD);
所述的吞吐脈沖計數器(S)包括可預置減1計數器(DC)、或非門(NOR)、寄存器(Reg)和標準D觸發器(D3);可預置減1計數器(DC)的時鐘輸入端為吞吐脈沖計數器(S)的時鐘輸入端(CKs),標準D觸發器(D3)的輸出端為吞吐脈沖計數器(S)的模式控制信號輸出端(MCs),并與可預置減1計數器(DC)的使能輸入端(EN)連接,可預置減1計數器(DC)的預置使能信號輸入端(LDE)與標準D觸發器(D3)的預置端(SET)連接作為吞吐脈沖計數器(S)的重置端(resets),寄存器(Reg)的輸入端接外部分頻置數信號;或非門(NOR)的輸出端與標準D觸發器(D3)的時鐘輸入端連接;
所述的可預置減1計數器包括N級可預置T觸發器和M級與門,N≥3,M=N-2;
所述的可預置T觸發器包括數據輸入端口(T)、時鐘輸入端口(CLK)、預置使能信號輸入端口(SE)、預置數輸入端口(SD)、使能輸入端(en)、同相輸出端口(Q)、反相輸出端口(QN);使能輸入端(en)有效情況下,預置使能信號輸入端口(SE)有效時,在時鐘信號作用下,預置數輸入端口(SD)的信號直接輸出到同相輸出端口(Q),預置使能信號輸入端口(SE)無效時,在時鐘信號作用下,數據輸入端口(T)的信號直接輸出到同相輸出端口(Q);使能輸入端(en)無效情況下,同相輸出端口(Q)恒定高電平輸出;
每個可預置T觸發器的預置使能信號輸入端口(SE)連接作為可預置減1計數器的預置使能信號輸入端(LDE),時鐘輸入端口(CLK)連接作為可預置減1計數器的時鐘輸入端,使能輸入端(en)連接作為可預置減1計數器的使能輸入端(EN),預置數輸入端口(SD)按照順序分別接寄存器輸出的相應位,第n級可預置T觸發器的預置數輸入端口(SD)接寄存器輸出的第n位,第n級可預置T觸發器的同相輸出端口(Q)作為可預置減1計數器輸出的第n位,并與或非門(NOR)的輸入端第n位連接,1≤n≤N;
第一級可預置T觸發器的數據輸入端口(T)接高電平,反相輸出端口(QN)與第二級可預置T觸發器的數據輸入端口(T)以及各級與門的一個輸入端口連接;
第二級可預置T觸發器的反相輸出端口(QN)與各級與門的另一個輸入端口連接;
如N≥4,則第m級可預置T觸發器的數據輸入端口(T)與第k級與門的輸出端口連接,反相輸出端口(QN)與第j級至第M級的與門的又一個輸入端口連接,3≤m≤N-1,k=m-2,j=k-1;
所有中間級的可預置T觸發器的反相輸出端口(QN)分別與各級與門各輸入端口連接;最末級可預置T觸發器的反相輸出端口(QN)懸空。
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