[發明專利]離子束均勻性的檢測方法

有效

• 申請號: 201210087739.1
• 申請日: 2012-03-28
• 公開（公告）號: CN103367187A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 陽厚國
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;G01T1/29
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

1.一種離子束均勻性的檢測方法，包括下列步驟：

獲取離子注入機臺檢測離子束的取點位置在晶圓上的對應位置；

采用所述離子注入機臺對晶圓進行離子注入；

測量所述對應位置的電阻值；

根據所述電阻值判斷離子束均勻性是否達標。

2.根據權利要求1所述的離子束均勻性的檢測方法，其特征在于，還包括若均勻性未達標，則根據未達標的電阻值的測量點，找到所述離子束的取點位置的步驟。

3.根據權利要求1所述的離子束均勻性的檢測方法，其特征在于，所述對晶圓進行離子注入的步驟和測量所述對應位置的電阻值的步驟之間還包括對所述晶圓退火的步驟。

4.根據權利要求1所述的離子束均勻性的檢測方法，其特征在于，所述對應位置的測量點排列形成線段。

5.根據權利要求4所述的離子束均勻性的檢測方法，其特征在于，相鄰兩個所述對應位置的測量點之間的距離為3mm。