[發明專利]發光二極管及其制造方法

無效

• 申請號: 201210087722.6
• 申請日: 2012-03-29
• 公開（公告）號: CN103367620A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 楊松祥;葉威君;趙政超
• 申請（專利權）人: 富士邁半導體精密工業（上海）有限公司;晶鼎能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/64
• 分類號: H01L33/64;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發光二極管，包括一基板、設于該基板上的兩電極，其特征在于：該基板上還設有一導熱層，該基板包括一頂面，該兩電極及該導熱層均設于該頂面上，該導熱層沿該電極的邊緣貼合于該基板的頂面上，且該兩電極之間及該兩電極與該導熱層之間均相互間隔絕緣。

2.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：該電極及該導熱層均為金屬箔片，且材料相同。

3.如權利要求所述1的發光二極管，其特征在于：該基板的頂面上間隔設有兩凸起，該兩電極分別貼合于該兩凸起的頂端，該導熱層沿該凸起的邊緣貼合于該基板的頂面上，每一凸起的頂端相對于該基板的頂面的高度大于該導熱層的厚度的兩倍。

4.如權利要求3所述的發光二極管，其特征在于：該電極與該凸起的形狀相同，均呈E形，每一電極包括一連接部及自該連接部的一側向外延伸的若干枝部，該兩電極的連接部相互靠近，該兩電極的枝部分別向相反的方向延伸。

5.如權利要求所述1的發光二極管，其特征在于：還包括與該兩電極電連接的一發光芯片及封裝該發光芯片的一封裝體，該兩電極的末端分別自該封裝體的相對兩側向伸出，該導熱層的邊緣于該封裝體的側向外露。

6.如權利要求所述1至5任意一項所述的發光二極管，其特征在于：該基座的頂面全部被電極及導熱層覆蓋。

7.一種發光二極管制造方法，包括步驟：

（1）提供一基板，該基板由絕緣且可熱壓變形的材料制成，該基板且具有一平坦的頂面；

（2）于該基板的頂面上披覆一金屬箔層；

（3）提供一沖壓模具，以該沖壓模具沖壓該金屬箔層及基板，使該金屬箔層分裂成兩電極及一導熱層，該導熱層沿該電極的邊緣貼合于該基板的頂面上，且該兩電極之間及該兩電極與該導熱層之間均相互間隔絕緣。

8.如權利要求7所述的發光二極管制造方法，其特征在于：該沖壓模具具有一沖壓面，該沖壓面上設有間隔設置的兩凹槽，每一凹槽的深度大于該金屬箔層的厚度的兩倍，步驟（3）中，該兩電極形成于該沖壓模具的凹槽所在處，該沖壓模具的沖壓面通過該導熱層熱壓該基板的頂面，將導熱層熱壓在該基板頂面，同時該頂面被熱壓變形，從而于正對沖壓模具的每一凹槽處形成一凸起，該凹槽的底面將該電極熱壓于對應凸起的頂部。

9.如權利要求8所述的發光二極管制造方法，每一凹槽不同位置的深度不同。

10.如權利要求7所述的發光二極管制造方法，其特征在于：還包括步驟（4）：提供一發光芯片，將該發光芯片的兩電觸點與該兩電極電連接，并于該發光芯片上形成一封裝體，該兩電極的末端分別自該封裝體的相對兩側向伸出，該導熱層的邊緣于該封裝體的側向外露。

11.一種發光二極管，其特征在于：該發光二極管為上述權利要求7至10任意一項所述的發光二極管制造方法制造。