[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210087616.8
• 申請(qǐng)日: 2012-03-29
• 公開（公告）號(hào): CN103137498A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 潘玉堂;周世文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南茂科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/48
• 分類號(hào): H01L21/48;H01L23/49
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 陳亮

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體元件及其制作方法，且特別是有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。

背景技術(shù)

芯片封裝的目的在于保護(hù)裸露的芯片、降低芯片接點(diǎn)的密度及提供芯片良好的散熱。常見的封裝方法是芯片透過打線接合(wire?bonding)或覆晶接合(flip?chip?bonding)的方式而安裝至一導(dǎo)線架或一線路板上，以使芯片上的接點(diǎn)可電性連接至導(dǎo)線架或線路板上。如此一來，芯片的接點(diǎn)分布可藉由導(dǎo)線架或線路板重新配置，以符合下一層級(jí)的外部元件的接點(diǎn)分布。

然而隨著技術(shù)提升以及元件尺寸微型化的趨勢(shì)，芯片的尺寸逐漸縮小。因此，當(dāng)芯片的尺寸縮小時(shí)，芯片與導(dǎo)線架的引腳間的距離相對(duì)地增加，連接芯片與引腳的焊線長度也因此增長。如此一來，可能造成元件的傳輸信號(hào)衰減、電性效能降低、生產(chǎn)成本提高。再者，較長的焊線也可能在進(jìn)行封膠工藝時(shí)，產(chǎn)生線塌(collapse)或線偏移(wire?sweep)的狀況，進(jìn)而影響產(chǎn)品的可靠度。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其具有較佳的可靠度。

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，用以制作上述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明提出一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括以下步驟。提供一導(dǎo)電基材，其中導(dǎo)電基材具有彼此相對(duì)的一第一表面與一第二表面。透過一第一粘著層將一導(dǎo)熱塊貼附于導(dǎo)電基材的部分第二表面上。對(duì)導(dǎo)電基材的第一表面進(jìn)行一半蝕刻步驟，以移除部分導(dǎo)電基材，而形成一開口于第一表面。圖案化剩余的導(dǎo)電基材，以形成多個(gè)彼此電性絕緣的引腳，并暴露部分導(dǎo)熱塊，其中每一引腳具有一第一部分與一第二部分，第一部分的厚度大于第二部分的厚度，且第一部分的一第一下表面與第二部分的一第二下表面齊平。將一芯片配置于被暴露出的部分導(dǎo)熱塊上，其中引腳的第二部分鄰近且環(huán)繞芯片的周圍，而芯片與引腳的第二部分電性連接。形成一封裝膠體以包覆芯片、部分引腳以及部分導(dǎo)熱塊。

本發(fā)明提出一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其包括一導(dǎo)熱塊、多個(gè)引腳、一第一粘著層、一芯片以及一封裝膠體。導(dǎo)熱塊具有彼此相對(duì)的一第一頂面與一第一底面。引腳配置于導(dǎo)熱塊的第一頂面上，并暴露出部分第一頂面。引腳彼此電性絕緣，其中每一引腳具有一第一部分與一第二部分，且第一部分的厚度大于第二部分的厚度，而第一部分的一第一下表面與第二部分的一第二下表面齊平。第一粘著層配置于引腳與導(dǎo)熱塊之間。芯片配置于導(dǎo)熱塊被暴露出的部分第一頂面上，其中引腳的第二部分鄰近且環(huán)繞芯片的周圍，芯片與引腳的第二部分電性連接。封裝膠體包覆芯片、部分引腳以及部分導(dǎo)熱塊。

基于上述，由于本發(fā)明是對(duì)導(dǎo)電基材進(jìn)行半蝕刻步驟及圖案化步驟來形成同時(shí)具有不同厚度的第一部分及第二部分的引腳。因此，當(dāng)芯片設(shè)置于導(dǎo)熱塊上時(shí)，本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)除了可具有較佳的散熱效能外，亦可透過引腳的第二部分鄰近且環(huán)繞芯片的設(shè)計(jì)來縮短采用打線接合時(shí)芯片與引腳之間的焊線距離，以避免現(xiàn)有長焊線線塌(collapse)或線偏移(wire?sweep)的狀況，可有效提升產(chǎn)品的可靠度。再者，當(dāng)芯片采用覆晶接合的方式與引腳的第二部分電性連接時(shí)，亦可有效降低封裝厚度，使半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)具有較薄的封裝厚度。

為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖作詳細(xì)說明如下。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。

圖2A至圖2E為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的剖面示意圖。

圖3A至圖3B為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的局部步驟的剖面示意圖。

具體實(shí)施方式

圖1為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖2A至圖2E為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的剖面示意圖。請(qǐng)先參考圖2A，本實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法包括以下步驟。首先，提供一導(dǎo)電基材110，其中導(dǎo)電基材110具有彼此相對(duì)的一第一表面112與一第二表面114，且導(dǎo)電基材110的材質(zhì)例如是金屬，包括銅、銅合金、鐵鎳合金或其他適當(dāng)?shù)慕饘俨馁|(zhì)。當(dāng)然，導(dǎo)電基材110的材質(zhì)亦可是其他具有導(dǎo)電性質(zhì)的材料。