[發(fā)明專利]三極管引線框架的制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210087589.4 | 申請日： | 2012-03-29 |
| 公開（公告）號： | CN102623357A | 公開（公告）日： | 2012-08-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 鄭康定;曹光偉;馮小龍;段華平;馬葉軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 寧波康強電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/48 | 分類號： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 寧波市鄞州甬致專利代理事務(wù)所(普通合伙) 33228 | 代理人： | 李迎春 |
| 地址： | 315104 浙江省寧*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 三極管 引線 框架 制造 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種三極管引線框架的制造方法，其特征在于包括以下操作步驟：
(1)從同一工件上沖壓出橫向相互連接的多個引線框架列(7)，所述引線框架列(7)相互之間通過加強筋(8)和邊帶(10)進行連接，所述引線框架列(7)包括多個縱向排列的交叉單元(9)，所述交叉單元(9)由兩個反向、在外管腳(6)部位交叉排列的引線框架單元組成，所述交叉單元(9)之間通過管腳連筋(5)進行連接；
(2)對所述引線框架單元的頭部區(qū)域進行電鍍；
(3)沿著加強筋(8)進行分切，得到多個分開的矩陣式引線框架片(11)，每個矩陣式引線框架片(11)包含5～15個引線框架列(7)。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
