[發明專利]溝槽制備方法有效
| 申請號： | 201210087245.3 | 申請日： | 2012-03-29 |
| 公開（公告）號： | CN103367225A | 公開（公告）日： | 2013-10-23 |
| 發明（設計）人： | 鄧浩 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛崢;王麗琴 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 溝槽 制備 方法 | ||
1.一種溝槽制備方法，其特征在于，包括：
提供半導體器件，且在所述半導體器件上依次沉積有第一阻擋層、層間介質層、第二阻擋層和金屬掩膜層；
在所述金屬掩膜層上形成針對溝槽的圖形化的光刻膠，利用圖形化的光刻膠對金屬掩膜層和第二阻擋層進行刻蝕，并去除所述圖形化的光刻膠；
在前一步驟所形成的結構表面上沉積硬掩膜，并去除沉積在所述金屬掩膜層和層間介質層表面的硬掩膜，保留沉積在金屬掩膜層和第二阻擋層側壁的硬掩膜，形成掩膜側墻；
在前一步驟所形成的結構中，在所述層間介質層中形成溝槽，同時去除所述掩膜側墻。
2.根據權利要求1所述的溝槽制備方法，其特征在于：采用干法刻蝕的方法去除沉積在所述金屬掩膜層和層間介質層表面的硬掩膜，保留沉積在金屬掩膜層和第二阻擋層側壁的硬掩膜，形成所述掩膜側墻。
3.根據權利要求1所述的溝槽制備方法，其特征在于，在形成掩膜側墻之后，在所述層間介質層中形成溝槽并同時去除所述掩膜側墻之前，還包括：
在前一步驟所形成的結構中，在所述層間介質層中形成通孔。
4.根據權利要求3所述的溝槽制備方法，其特征在于，在所述層間介質層中形成通孔的過程為：在前一步驟所形成的結構表面形成針對通孔的圖形化的光刻膠，利用圖形化的光刻膠對層間介質層進行刻蝕，并去除所述圖形化的光刻膠。
5.根據權利要求3所述的溝槽制備方法，其特征在于，在去除所述掩膜側墻的同時去除所述通孔底部的第一阻擋層。
6.根據權利要求1所述的溝槽制備方法，其特征在于：采用干法刻蝕的方法形成所述溝槽，并同時去除所述掩膜側墻。
7.根據權利要求1至6任一項所述的溝槽制備方法，其特征在于，所述第一阻擋層為電解質阻擋層，材料為氮碳化硅或者碳化硅。
8.根據權利要求1至6任一項所述的溝槽制備方法，其特征在于，所述硬掩膜材料為氮化硅。
9.根據權利要求1至6任一項所述的溝槽制備方法，其特征在于，所述第二阻擋層材料為氧化硅。
10.根據權利要求1至6任一項所述的溝槽制備方法，其特征在于，所述層間介質層采用低介電系數無機材料或者低介電系數有機材料。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
