[發明專利]一種基于摻雜氧化鋅薄膜的電阻式存儲器及其制備方法無效
| 申請號： | 201210087229.4 | 申請日： | 2012-03-29 |
| 公開（公告）號： | CN102623634A | 公開（公告）日： | 2012-08-01 |
| 發明（設計）人： | 李紅霞;季振國;席俊華;毛啟楠 | 申請（專利權）人： | 杭州電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 杭州求是專利事務所有限公司 33200 | 代理人： | 杜軍 |
| 地址： | 310018 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 摻雜 氧化鋅 薄膜 電阻 存儲器 及其 制備 方法 | ||
1.?一種基于摻雜氧化鋅薄膜的電阻式存儲器，其特征在于：該存儲器由重摻硅襯底、摻雜氧化鋅薄膜、金屬薄膜電極構成，摻雜氧化鋅薄膜位于重摻硅襯底、金屬薄膜電極之間，重摻硅襯底作為電阻式隨機存儲器的下電極，金屬薄膜電極作為電阻式隨機存儲器的上電極。
2.如權利要求1所述的電阻式隨機存儲器，其特征在于：重摻硅襯底的電阻率小于0.1Ω·cm。
3.如權利要求1所述的電阻式存儲器，其特征在于：摻雜氧化鋅薄膜的厚度范圍為10～100nm。
4.如權利要求1所述的電阻式存儲器，其特征在于：摻雜氧化鋅薄膜中摻雜所形成的氧化物的標準吉布斯自由能低于Zn金屬氧化形成ZnO的標準吉布斯自由能。
5.如權利要求4所述的電阻式存儲器，其特征在于：摻雜氧化鋅薄膜中摻雜材料選用鈦、鋁或鎂，摻雜濃度范圍為0～10%。
6.如權利要求1所述的電阻式存儲器，其特征在于：金屬薄膜電極為在溫度100℃下呈固體的金屬材料。
7.如權利要求6所述的電阻式存儲器，其特征在于：所述的金屬材料選用金、鉑、銅、鋁、鈦或鎳。
8.制備如權利要求1所述電阻式存儲器的方法，其特征在于該方法包括以下步驟：
步驟1.采用半導體標準清洗工藝清洗重摻硅襯底；
步驟2.以重摻硅為襯底材料，采用金屬鋅靶與摻雜金屬靶共濺射在襯底上沉積摻雜氧化鋅薄膜；
步驟3.在摻雜氧化鋅薄膜上采用電子束蒸發制備金屬薄膜電極。
9.如權利要求8所述的制備方法，其特征在于：步驟2中，利用磁控濺射法制備摻雜氧化鋅薄膜，具體條件為：氬氣與氧氣流量比例范圍為9～1，鋅靶濺射時功率為24W，通過改變摻雜金屬靶的濺射功率來改變摻雜濃度,變化范圍為0～50W。
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