[發明專利]離線可鋼低輻射鍍膜玻璃及其制造方法

有效

• 申請號: 201210087145.0
• 申請日: 2012-03-29
• 公開（公告）號: CN102615877A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 顧海波;陳穎璽
• 申請（專利權）人: 江蘇奧藍工程玻璃有限公司
• 主分類號: B32B9/04
• 分類號: B32B9/04;B32B15/00;B32B17/00;C03C17/36
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

技術領域

本發明涉及一種玻璃及其制造方法，特別是一種離線可鋼低輻射鍍膜玻璃及其制造方法。

背景技術

現有普通離線低輻射鍍膜玻璃由于膜系配置采用其他的材料，膜層耐侯性、耐酸堿性都較差，膜層質軟，容易氧化，且很難實現異地加工。離線可鋼低輻射鍍膜玻璃，采用氮化硅Si₃N₄膜層作為保護層，其對氧氣具有很低的擴散系數，有較好的穩定性，針孔密度非常低。磁控濺射沉積的氮化硅膜層致密、平整且硬度很高，對可動離子有非常強的阻擋能力，在1200℃時不發生氧化，有較好的抗蝕性，所以，使用Si₃N₄膜層作為離線可鋼低輻射鍍膜玻璃的頂層保護膜，實現離線可鋼低輻射鍍膜玻璃耐高溫的性能，從而實現遠程異地化的切割、磨邊、鋼化、中空等后續加工。

發明內容

本發明的目的是為了克服普通離線低輻射鍍膜玻璃不能進行熱處理的不足，提供一種夠很強的阻隔紅外線，具有很好的隔熱功效，同時也能實現異地化后續深加工的離線可鋼低輻射鍍膜玻璃及其制造方法。

本發明的目的通過以下技術方案來實現：一種離線可鋼低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基片，玻璃基片上設有依次設有氮化硅Si₃N₄、金屬鎳鉻NiCr、金屬銀Ag、金屬鎳鉻NiCr、氮化硅Si₃N₄。玻璃基片的厚度為3mm～15mm，氮化硅Si₃N₄的厚度為35nm～45nm，金屬鎳鉻NiCr的厚度為1.5～2.5nm，金屬銀Ag的厚度為6～10nm，金屬鎳鉻NiCr的厚度為2～2.5nm，氮化硅Si₃N₄的厚度為55～65nm。

本發明的進一步改進在于：玻璃基片的厚度為3mm～15mm，氮化硅Si₃N₄的厚度為37nm，金屬鎳鉻NiCr的厚度為1.9nm，金屬銀Ag的厚度為8nm，金屬鎳鉻NiCr的厚度為2.1nm，氮化硅Si₃N₄的厚度為57nm。

一種離線可鋼低輻射鍍膜玻璃的制備方法，包括以下步驟：

A：選擇3～15mm玻璃基片，按預定尺寸切割，用清洗機對玻璃片進行清洗；

B：將高真空磁控濺射鍍膜設備的基礎真空設置為10?3Pa，線速度設置為3.5米/分鐘；

C：將玻璃基片送入鍍膜室，依次設置第一高真空磁控濺射鍍膜設備的功率為49KW～60KW，在玻璃基片上濺射第一層35nm～45nm的氮化硅Si3N4；

D：設置第二高真空磁控濺射鍍膜設備的功率為0.5KW～0.75KW，在玻璃基片上濺射第二層1.5nm～2.5nm的金屬鎳鉻NiCr；

E：設置第三高真空磁控濺射鍍膜設備的功率為2.1KW～3.2KW，在玻璃基片上濺射第三層6nm～10nm的金屬銀Ag；

F：設置第四高真空磁控濺射鍍膜設備的功率為0.6KW～0.80KW，在玻璃基片上濺射第四層2nm～2.5nm的金屬鎳鉻NiCr；

G：設置第五高真空磁控濺射鍍膜設備的功率為77KW～85KW，在玻璃基片上濺射第五層55nm～65nm的氮化硅Si3N4。

本發明的進一步改進在于：

所述步驟A中，玻璃基片的厚度為6mm；

所述步驟C中，設置第一高真空磁控濺射鍍膜設備的功率為52KW，在玻璃基片上濺射第一層37nm的氮化硅Si₃N₄；

所述步驟D中，設置第二高真空磁控濺射鍍膜設備的功率為0.63KW，在玻璃基片上濺射第二層1.9nm的金屬鎳鉻NiCr；

所述步驟E中，設置第三高真空磁控濺射鍍膜設備的功率為2.8KW，在玻璃基片上濺射第三層8nm的金屬銀Ag；

所述步驟F中，設置第四高真空磁控濺射鍍膜設備的功率為0.69KW，在玻璃基片上濺射第四層2.1nm的金屬鎳鉻NiCr；

所述步驟G中，設置第五高真空磁控濺射鍍膜設備的功率為80KW，在玻璃基片上濺射第五層57nm的氮化硅Si₃N₄。