[發明專利]基板清洗裝置以及真空處理系統無效
| 申請號: | 201210086786.4 | 申請日: | 2012-03-28 |
| 公開(公告)號: | CN102728580A | 公開(公告)日: | 2012-10-17 |
| 發明(設計)人: | 土橋和也;井內健介;清水昭貴;安田健太;吉野裕;相田敏廣;妹尾武彥 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社;巖谷產業株式會社 |
| 主分類號: | B08B5/02 | 分類號: | B08B5/02;B08B13/00;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 李偉;舒艷君 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 清洗 裝置 以及 真空 處理 系統 | ||
1.一種基板清洗裝置,其特征在于,具備:
保持部,其被設置于具有排氣口的處理室內,用于保持基板;
噴嘴部,為了除去所述保持部所保持的基板的周邊部的不要部位,而用于對該周邊部照射氣體團簇;和
移動機構,其用于在所述氣體團簇的照射時使所述保持部和所述噴嘴部相對地移動,
所述噴嘴部通過排出壓力比所述處理室內的壓力高的清洗氣體來使清洗氣體絕熱膨脹而形成清洗氣體的原子或者分子的集合體、即氣體團簇。
2.根據權利要求1所述的基板清洗裝置,其特征在于,
在所述基板的表面側具備清掃氣體供給部,該清掃氣體供給部將由于所述氣體團簇的碰撞而從基板飛散的飛散物從基板的中心來看向外側吹去。
3.根據權利要求1或2所述的基板清洗裝置,其特征在于,
所述清洗氣體與升壓用氣體混合后排出。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的基板清洗裝置,其特征在于,
所述噴嘴部被構成為,能夠改變氣體團簇對基板的照射角。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的基板清洗裝置,其特征在于,
所述噴嘴部被構成為,能夠向連接基板的中央部與外線的方向移動。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的基板清洗裝置,其特征在于,
所述噴嘴部被構成為,能夠實現下述中的至少一方,即:通過繞與基板平行的軸轉動而能夠改變氣體團簇的照射角;和能夠向連接基板的中央部與外線的方向移動,
所述噴嘴部具備控制部,該控制部進行控制,以使得在從基于氣體團簇對基板的周邊部的處理開始時到處理結束時的期間內,實施氣體團簇的照射角的改變、以及在連接基板的中央部與外線的方向上移動中的、至少一方。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的基板清洗裝置,其特征在于,
所述基板為圓形,
所述移動機構為,用于保持所述圓形的基板并使所述圓形的基板繞所述基板的中心部的軸旋轉的旋轉機構。
8.根據權利要求1至7中任一項所述的基板清洗裝置,其特征在于,
所述基板是對硅晶圓上的多種層疊膜進行了蝕刻后的該晶圓,在基板的表面側的周邊部,形成有相當于不要部位的、多個針狀的硅的突起群,并在背面側的周邊部,附著有相當于不要部位的多種薄膜。
9.根據權利要求1至8中任一項所述的基板清洗裝置,其特征在于,
所述基板在表面以及背面中的至少一方的周邊部,層疊有相當于不要部位的多種膜,
所述噴嘴部以能夠切換并排出多種清洗氣體的方式與多種氣體供給系連接。
10.根據權利要求1至8中任一項所述的基板清洗裝置,其特征在于,
所述基板在表面以及背面中的至少一方的周邊部,層疊有相當于不要部位的多種膜,
設置有多個所述噴嘴部,這些多個噴嘴部被供給相互不同的清洗氣體。
11.一種真空處理系統,其特征在于,具備:
真空搬運室,其在真空環境下搬運基板;
真空處理模塊,其經由分隔閥與該真空搬運室連接,用于對形成于基板的表面薄膜進行干式蝕刻或者在基板上形成薄膜;和
權利要求1至10中任一項所述的基板清洗裝置,其經由分隔閥與所述真空搬運室連接,用于清洗在所述真空處理模塊中被進行了真空處理后的基板的周邊部。
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