[發明專利]蠟梅組培快繁方法無效
| 申請號: | 201210086752.5 | 申請日: | 2012-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN102599060A | 公開(公告)日: | 2012-07-25 |
| 發明(設計)人: | 竇祥龍 | 申請(專利權)人: | 常熟市海虞茶葉有限公司 |
| 主分類號: | A01H4/00 | 分類號: | A01H4/00 |
| 代理公司: | 蘇州廣正知識產權代理有限公司 32234 | 代理人: | 汪發春 |
| 地址: | 215522 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 蠟梅組培快繁 方法 | ||
技術領域
本發明涉及園藝領域,具體涉及一種蠟梅的組培快繁方法。
背景技術
蠟梅(學名:Chimonanthus?praecox)是蠟梅科蠟梅屬的植物。分布于朝鮮、美洲、日本、歐洲以及中國大陸的湖南、福建、山東、江蘇、安徽、云南、河南、湖北、浙江、四川、貴州、陜西、江西等地區,生長于海拔300米至700米的地區,常生于山地林中。蠟梅是落葉叢生灌木,也是我國特產的傳統名貴觀賞花木,有著悠久的栽培歷史和豐富的蠟梅文化。唐代詩人李商隱稱蠟梅為寒梅,有“知訪寒梅過野塘”句?!兑κ蠚堈Z》又稱梅為寒客。蠟梅花開春前,為百花之先,特別是虎蹄梅,農歷十月即放花,故人稱早梅。蠟梅先花后葉,花與葉不相見,蠟梅花開之時枝干枯瘦,故又名干枝梅。蠟梅花開之日多是瑞雪飛揚,欲賞蠟梅,待雪后,踏雪而至,故又名雪梅。常見的蠟梅品種有素心蠟梅(花被純黃,有濃香。為蠟梅中最名貴的品種)、磬口蠟梅(葉及花均較大外輪花被黃色,內輪黃色上有紫色條紋,香味濃,為名貴品種)、小花蠟梅(花朵特小,外層花被黃白色,內層有紅紫色條紋。香氣濃郁)和狗爪蠟梅(也叫狗牙蠟梅或紅心蠟梅、狗蠅梅、狗英梅。葉狼狹花小,花被狹而尖,外輪黃色,內輪有紫斑,淡香??剐詮姡?。
蠟梅花開于寒月早春,花黃如臘,清香四溢,為冬季觀賞佳品,是我國特有的珍貴觀賞花木。一般以孤植、對植、叢植、群植配置于園林與建筑物的入口處兩側和廳前、亭周、窗前屋后、墻隅及草坪、水畔、路旁等處,作為盆花樁景和瓶花亦具特色。我國傳統上喜歡配植南天竹,冬天時紅果、黃花、綠葉交相輝映,可謂色、香、形三者相得益彰,更具中國園林的特色。
目前,蠟梅是園林中廣泛應用的綠化樹種,常見的繁殖方法為扦插、嫁接和壓條,對于組培快繁的研究并不多見。
發明內容
本發明主要解決的技術問題是提供一種蠟梅的快速繁殖方法,以彌補園林中對于蠟梅源源不斷的需求。
為解決上述技術問題,本發明的目的是這樣實現的:
一種蠟梅的組培快繁方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟(1)外植體的采集:4-5月,從母株上采集一年生半木質化的蠟梅枝,除去葉片,切成1cm左右的帶節間莖段,用自來水沖洗干凈后,先采用75%酒精處理浸泡30-60s;再用無菌蒸餾水沖洗2次;
步驟(2)繼代培養:將上述的消毒過的蠟梅半木質化帶芽枝段在繼代培養基MS+6-BA?0.5mg·L-1+NAA0.2mg·L-1培養30天;培養條件為:溫度25±2℃,光照強度1000lux,光照時間14h·d-1;
步驟(3)生根培養:將步驟(2)中經過繼代培養的莖段取出,移入裝有生根培養基的密閉容器中,進行生根培養,生根培養基成分為1/2MS+?GA3?0.5mg/l?+IBA?0.5mg/l+BA?0.01mg/l;試管苗在生根培養基中光照強度為2000Lux,培養溫度23±2℃,培養40天后,試管苗在培養基中根長至0.5cm的新根時,打開瓶口,3天后選擇直徑≥0.5mm的蠟梅試管苗移栽到裝有蛭石:草炭=1:2基質的育苗盤中進行煉苗培養,煉苗時空氣濕度95%,光照強度15000lux;
步驟(4)大田移栽:在育苗盤中煉苗50天后,當育苗盤中苗木高度為20cm時,移栽到露地栽培。?
本發明的有益效果是:
(1)本發明具有成苗量多,繁殖系數高的優點,比傳統的蠟梅組培方法能夠提高成活率25%,能夠在短期內快速繁殖大量蠟梅苗木。
(2)采用合理化煉苗措施,使蠟梅在出瓶后能夠迅速適應露地環境,成活率高,生長迅速,能夠盡快應用到園林綠化中。
具體實施方式
下面對本發明的較佳實施例進行詳細闡述,以使本發明的優點和特征能更易于被本領域技術人員理解,從而對本發明的保護范圍做出更為清楚明確的界定。
本發明實施例包括:
一種蠟梅的組培快繁方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟(1)外植體的采集:4-5月,從母株上采集一年生半木質化的蠟梅枝,除去葉片,切成1cm左右的帶節間莖段,用自來水沖洗干凈后,先采用75%酒精處理浸泡30-60s;再用無菌蒸餾水沖洗2次;
步驟(2)繼代培養:將上述的消毒過的蠟梅半木質化帶芽枝段在繼代培養基MS+6-BA?0.5mg·L-1+NAA0.2mg·L-1培養30天;培養條件為:溫度25±2℃,光照強度1000lux,光照時間14h·d-1;
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