[發明專利]一種光學防偽元件及使用該光學防偽元件的產品

有效

• 申請號: 201210086482.8
• 申請日: 2012-03-28
• 公開（公告）號: CN103358808A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 張寶利;朱軍;李成垚;王曉利
• 申請（專利權）人: 中鈔特種防偽科技有限公司;中國印鈔造幣總公司
• 主分類號: B44F1/12
• 分類號: B44F1/12;G02B3/00
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 肖冰濱;南毅寧

1.一種光學防偽元件，該光學防偽元件包括基材、位于所述基材的第一表面上且至少部分覆蓋所述基材的第一表面的微浮雕結構以及位于所述基材的第二表面上且至少部分覆蓋所述基材的第二表面的反射層，其中，所述微浮雕結構包括微透鏡陣列以及嵌套在所述微透鏡陣列中且與所述微透鏡陣列位于同一平面內但與所述微透鏡陣列不重合的微圖文陣列，所述微透鏡陣列能夠通過所述反射層對所述微圖文陣列進行采樣合成，從而形成再現圖像。

2.根據權利要求1所述的光學防偽元件，其中，所述微浮雕結構與所述反射層之間的距離為所述微透鏡陣列的焦距的二分之一。

3.根據權利要求1所述的光學防偽元件，其中，所述微透鏡陣列為由多個微透鏡單元構成的周期性陣列和/或非周期性陣列和/或隨機性陣列和/或局部周期性陣列。

4.根據權利要求3所述的光學防偽元件，其中，所述微透鏡單元為折射型和/或衍射型微透鏡。

5.根據權利要求4所述的光學防偽元件，其中，所述微透鏡單元的焦距為10微米至200微米。

6.根據權利要求3所述的光學防偽元件，其中，所述微透鏡單元的焦距為20微米至60微米。

7.根據權利要求1所述的光學防偽元件，其中，所述微圖文陣列為由多個微圖文單元構成的周期性陣列和/或非周期性陣列和/或隨機性陣列和/或局部周期性陣列。

8.根據權利要求3至7中任一項權利要求所述的光學防偽元件，其中，所述周期為10微米至200微米。

9.根據權利要求3至7中任一項權利要求所述的光學防偽元件，其中，所述周期為40微米至100微米。

10.根據權利要求1所述的光學防偽元件，其中，所述微浮雕結構的加工深度小于15微米。

11.根據權利要求1所述的光學防偽元件，其中，所述微浮雕結構的加工深度為0.5微米至10微米。

12.根據權利要求1所述的光學防偽元件，其中，所述微浮雕結構的表面上覆蓋有保護層，并且當所示微浮雕結構與所述保護層直接接觸時，所述保護層的折射率小于所述微浮雕結構的折射率，并且兩者的折射率的差值大于或等于0.3。

13.根據權利要求1所述的光學防偽元件，其中，該光學防偽元件還包括位于所述微浮雕結構的上表面和/或所述微浮雕結構的下表面和/或所述基材中和/或所述反射層的上表面和/或所述反射層中和/或所述反射層的下表面的、能夠實現顏色效果的功能層。

14.根據權利要求13所述的光學防偽元件，其中，所述功能層還具有衍射光變特征、干涉光變特征、微納結構特征、印刷特征、部分金屬化特征、熒光特征和/或用于機讀的磁、光、電、放射性特征。

15.根據權利要求1所述的光學防偽元件，其中，所述反射層為單層結構或多層結構，并且每層結構由金屬、介質或金屬和介質的組合構成。

16.根據權利要求15所述的光學防偽元件，其中，所述反射層中形成有鏤空圖案。

17.根據權利要求1所述的光學防偽元件，其中，所述反射層為能夠對反射光進行調制的浮雕結構。

18.根據權利要求1所述的光學防偽元件，其中，所述光學防偽元件還包括位于所述光學防偽元件的一面或兩面上的粘結層。

19.根據權利要求18所述的光學防偽元件，其中，當所述粘結層與所述微浮雕結構直接接觸時，所述粘結層的折射率小于所述微浮雕結構的折射率，并且兩者的折射率差值大于或等于0.3。

20.使用根據權利要求1至19中任一項權利要求所述的光學防偽元件的防偽產品。