[發(fā)明專利]磁記錄介質(zhì)的制造方法和磁記錄再生裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210086440.4
• 申請日: 2012-03-28
• 公開（公告）號: CN102737653A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 入澤壽和;橋本篤志
• 申請（專利權(quán)）人: 昭和電工株式會社
• 主分類號: G11B5/84
• 分類號: G11B5/84;C23C14/00;C23C14/06
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 段承恩;田欣

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及磁記錄介質(zhì)的制造方法和磁記錄再生裝置。?

背景技術(shù)

作為磁記錄再生裝置的一種的硬盤裝置(HDD)，現(xiàn)在其記錄密度在以年率50％以上增加，據(jù)說今后其傾向會繼續(xù)下去。隨之在進(jìn)行適合于高記錄密度化的磁記錄介質(zhì)的開發(fā)。?

現(xiàn)在市售的磁記錄介質(zhì)再生裝置所搭載的磁記錄介質(zhì)是磁性膜內(nèi)的易磁化軸主要垂直地取向的所謂的垂直磁記錄介質(zhì)。垂直磁記錄介質(zhì)，即使在高記錄密度化了時，記錄位間的邊界區(qū)域的反磁場的影響也小，形成鮮明的位邊界，因此能夠抑制噪聲的增加。而且隨著高記錄密度化的記錄位體積的減少較少，因此也抗熱擺效應(yīng)。因此，近年極引人注目，并提出了適合于垂直磁記錄介質(zhì)的介質(zhì)的結(jié)構(gòu)。?

另外，為了響應(yīng)磁記錄介質(zhì)更高記錄密度化的要求，在研究使用對垂直磁性層的寫入能力優(yōu)異的單磁極磁頭。為了對應(yīng)于這樣的單磁極磁頭，曾提出了通過在作為記錄層的垂直磁性層與非磁性基板之間設(shè)置被稱作襯里層的軟磁性材料構(gòu)成的層，來提高單磁極磁頭與磁記錄介質(zhì)之間的磁通的出入的效率的磁記錄介質(zhì)。?

然而，在上述的垂直磁記錄介質(zhì)中，只簡單地設(shè)置襯里層時，在記錄再生時的記錄再生特性、耐熱擺性、記錄分辨能力方面不能夠滿足，期望得到這些特性優(yōu)異的垂直磁記錄介質(zhì)。?

尤其是，在今后的高記錄密度化中必需事項是增大作為記錄再生特性重要的再生時的信號與噪聲之比(S/N比)的高S/N化和耐熱擺性的提高的兩立。然而，這兩項具有相反的關(guān)系，因此若提高一方則另一方變得不充分，在高水平下的兩立成為重要的課題。?

為了解決這樣的課題，曾提出了一種磁記錄介質(zhì)，其特征在于，通過使用非磁性層等使3層的磁性層進(jìn)行AFC(anti·ferro·coupling)耦合，來獲得合成Mrt和PW50降低這樣的優(yōu)點，并且不引起S/N比降低(參照專利文獻(xiàn)1)。?

另一方面，為了提高垂直磁記錄介質(zhì)的記錄再生特性、熱擺特性，曾提出了使用取向控制層形成多層的磁性層，使各磁性層的結(jié)晶粒子為連續(xù)的柱狀晶，由此提高磁性層的垂直取向性的方案。(參照專利文獻(xiàn)2)。?

另外，曾提出了使用高壓氣體濺射成膜出取向控制層的方案(參照專利文獻(xiàn)3)。此外，為了進(jìn)一步提高用作為取向控制層的Ru的取向性，曾提出了使取向控制層為兩層結(jié)構(gòu)，初始層部分在低氣壓下成膜，表面層部分在與初始層部分相比較高的氣壓下進(jìn)行成膜的方案(參照專利文獻(xiàn)4)。?

另外，已知：由于Ru是在柱狀晶的頂部形成拱狀的凸部的，因此具有使磁性層的結(jié)晶粒子在該凸部上生長，促進(jìn)生長了的結(jié)晶粒子的分離結(jié)構(gòu)，使結(jié)晶粒子孤立化，使磁性粒子柱狀地生長的效果(參照專利文獻(xiàn)5)。?

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)?

專利文獻(xiàn)1：日本特開2005-276410號公報?

專利文獻(xiàn)2：日本特開2004-310910號公報?

專利文獻(xiàn)3：日本特開平7-244831號公報?

專利文獻(xiàn)4：日本特開2004-22138號公報?

專利文獻(xiàn)5：日本特開2007-272990號公報?

發(fā)明內(nèi)容

然而，對磁記錄介質(zhì)的高記錄密度化的要求不會停止，對磁記錄介質(zhì)在要求比目前更高的特性的提高。具體地講，為了提高磁記錄介質(zhì)的記錄密度，需要使構(gòu)成上述的取向控制層的結(jié)晶微細(xì)化，使形成于其上面的柱狀結(jié)構(gòu)的磁性粒子微細(xì)化。同時，為了維持磁記錄介質(zhì)的高的可靠性，需要提高表面的平坦性并且提高表面的耐擦傷性。?

本發(fā)明是鑒于這樣的現(xiàn)有狀況提出的，其目的在于提供維持垂直磁性?層的高的垂直取向性，能夠進(jìn)一步的高記錄密度化的磁記錄介質(zhì)的制造方法和具備采用上述的制造方法制造的磁記錄介質(zhì)的磁記錄再生裝置。?

本發(fā)明提供以下的手段。?

(1)一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，是在非磁性基板之上至少層疊軟磁性基底層、控制緊上面的層的取向性的取向控制層、易磁化軸相對于上述非磁性基板主要垂直地取向的垂直磁性層而成的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在以由2層以上的磁性層構(gòu)成上述垂直磁性層，且構(gòu)成各磁性層的結(jié)晶粒子與構(gòu)成上述取向控制層的結(jié)晶粒子一同形成沿厚度方向連續(xù)的柱狀晶的方式使各層結(jié)晶生長時，由CoCr合金形成上述取向控制層，通過采用在濺射氣體中混合了氮氣的反應(yīng)濺射成膜出該取向控制層來使上述CoCr合金中摻雜3～15原子％的范圍的氮。?

(2)根據(jù)前項(1)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，上述CoCr合金含有50～80原子％的范圍的Co，含有20～50原子％的范圍的Cr。?