[發明專利]電阻溫度系數的檢測結構及檢測方法

有效

• 申請號: 201210085789.6
• 申請日: 2012-03-27
• 公開（公告）號: CN102621468A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 高超;李冰寒;江紅;胡勇;王哲獻;于濤
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種電阻溫度系數檢測結構，其特征在于，包括：

半導體襯底；

位于所述半導體襯底表面的待測器件，所述待測器件的材料為多晶硅，所述待測器件兩端分別連接有第一導電插塞，所述待測器件兩端的第一導電插塞分別與第一金屬互聯線連接；

相對所述待測器件設置的加熱層，所述加熱層的材料為多晶硅，所述加熱層兩端分別連接有第二導電插塞，所述第二導電插塞至少由兩根導電插塞組成，所述加熱層兩端的第二導電插塞分別與第二金屬互聯線連接；

位于所述待測器件上方的傳感器，所述傳感器兩端分別與第三導電插塞連接。

2.如權利要求1所述電阻溫度系數檢測結構，其特征在于，所述傳感器的材料為金屬。

3.如權利要求1所述電阻溫度系數檢測結構，其特征在于，所述傳感器的面積小于待測器件的面積。

4.如權利要求1所述電阻溫度系數檢測結構，其特征在于，所述加熱層位于所述待測器件的同一層，且分別位于所述待測器件的兩側。

5.如權利要求4所述電阻溫度系數檢測結構，其特征在于，所述傳感器與所述待測器件之間以層間介質層隔離。

6.如權利要求4所述電阻溫度系數檢測結構，其特征在于，所述傳感器與所述待測器件之間的距離為400～500納米。

7.如權利要求4所述電阻溫度系數檢測結構，其特征在于，所述加熱層與待測器件之間以絕緣層隔離。

8.如權利要求4所述電阻溫度系數檢測結構，其特征在于，所述加熱層與所述待測器件之間的距離為0.1～0.3微米。

9.如權利要求1所述電阻溫度系數檢測結構，其特征在于，所述加熱層位于所述待測器件的上方或下方，且以絕緣層相互隔離。

10.如權利要求9所述電阻溫度系數檢測結構，其特征在于，所述絕緣層為氧化硅或氮化硅。

11.如權利要求9所述電阻溫度系數檢測結構，其特征在于，所述加熱層與所述待測器件之間的距離為5～20納米。

12.如權利要求9所述電阻溫度系數檢測結構，其特征在于，所述加熱層位于所述待測器件的上方時，所述第一導電插塞貫穿所述加熱層且與加熱層電隔離。

13.如權利要求9所述電阻溫度系數檢測結構，其特征在于，所述加熱層位于所述待測器件的上方時，所述傳感器到所述加熱層的距離為400～500納米，且以層間介質層相互隔離。

14.如權利要求9所述電阻溫度系數檢測結構，其特征在于，所述加熱層位于所述待測器件的下方時，所述傳感器到所述待測器件的距離400～500納米，且以層間介質層相互隔離。

15.如權利要求1所述電阻溫度系數檢測結構，其特征在于，所述加熱層與第二導電插塞連接的一端的邊長大于1微米。

16.如權利要求1所述電阻溫度系數檢測結構，其特征在于，所述第二金屬互聯線與第二導電插塞連接的一端的邊長大于1微米，小于等于加熱層與第二導電插塞連接的一端的邊長相等。

17.如權利要求1所述電阻溫度系數檢測結構，其特征在于，所述第二導電插塞由2～100根導電插塞組成。

18.如權利要求1所述電阻溫度系數檢測結構，其特征在于，所述加熱層不與第二導電插塞相連的一邊的邊長，大于待測器件不與第一導電插塞相連的一邊的邊長。