[發明專利]發光器件

有效

• 申請號: 201210085771.6
• 申請日: 2012-03-28
• 公開（公告）號: CN103107260B
• 公開（公告）日: 2017-05-03
• 發明（設計）人: 崔炳然;朱炫承;李容京;洪奇錫;盧志希
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/32;H01L33/06
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 蔡勝有,董文國

1.一種發光器件，包括：

包括第一半導體層、第二半導體層以及在所述第一半導體層與所述第二半導體層之間的有源層的發光結構；

電連接至所述第一半導體層的第一電極；以及

設置在所述第二半導體層上的第二電極，

其中所述第二電極包括：

設置在所述第二半導體層上的反射電極層；以及

設置在所述反射電極層的外側表面的至少部分區域中同時與所述第二半導體層接觸的接合電極層，以及

其中所述反射電極層包括：

形成為具有與所述接合電極層的高度相等的高度的第一反射電極層；以及

設置在所述第一反射電極層上同時設置為直至所述接合電極層的上表面的第二反射電極層。

2.根據權利要求1所述的發光器件，還包括：

設置在所述反射電極層上的保護層。

3.根據權利要求1所述的發光器件，還包括：

設置在所述反射電極層或所述接合電極層上的抗氧化電極層。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的發光器件，其中所述反射電極層包括銀(Ag)、銀合金以及鋁(Al)中的至少一種。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的發光器件，其中所述第一電極包括：

設置在所述第一半導體層上的反射電極層；以及

設置在所述反射電極層的外側表面的至少部分區域中同時與所述第一半導體層接觸的接合電極層。

6.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第二反射電極層從所述接合電極層的所述上表面延伸直至所述接合電極層的側表面。

7.根據權利要求1至3中任一項所述的發光器件，其中所述反射電極層具有200nm到500nm的厚度。

8.根據權利要求1至3中任一項所述的發光器件，其中所述反射電極層具有隨著向上的距離的減小而減小的寬度。

9.根據權利要求1至3中任一項所述的發光器件，其中所述接合電極層具有隨著向上的距離的減小而減小的寬度。

10.根據權利要求1至3中任一項所述的發光器件，其中所述接合電極層具有1μm到2μm的寬度。

11.根據權利要求1至3中任一項所述的發光器件，其中所述接合電極層的寬度為所述反射電極層的寬度的0.1倍到0.5倍。

12.根據權利要求1至3中任一項所述的發光器件，其中所述接合電極層的厚度為所述反射電極層的厚度的0.2倍到1.0倍。

13.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述接合電極層形成為具有大于所述反射電極層的高度的高度。

14.根據權利要求13所述的發光器件，其中所述接合電極層從所述反射電極層的側表面延伸直至所述反射電極層的上表面。

15.根據權利要求1至3中任一項所述的發光器件，其中所述接合電極層包括其中按下述順序層疊鉻(Cr)層、鋁(Al)層、鎳(Ni)層以及金(Au)層的結構。

16.根據權利要求15所述的發光器件，其中

所述鉻(Cr)層具有到的厚度；

所述鋁(Al)層具有到的厚度；

所述鎳(Ni)層具有到的厚度；以及

所述金(Au)層具有到的厚度。

17.根據權利要求2所述的發光器件，其中所述保護層包括鎳(Ni)。

18.根據權利要求3所述的發光器件，其中所述抗氧化電極層包括金(Au)、銠(Rh)、鈀(Pd)、銅(Cu)、鎳(Ni)、釕(Ru)、銥(Ir)和鉑(Pt)中的至少一種。

19.根據權利要求1至3中任一項所述的發光器件，還包括在所述第二電極與所述第二半導體層之間的透光電極層。