[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210085746.8
• 申請日: 2010-05-31
• 公開（公告）號: CN102623503A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 舛岡富士雄;工藤智彥
• 申請（專利權(quán)）人: 新加坡優(yōu)尼山帝斯電子私人有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/08;H01L29/423
• 代理公司: 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 趙根喜;馮志云

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，具備：構(gòu)成于第1導(dǎo)電型硅襯底上的第1導(dǎo)電型第1硅柱、包圍該第1導(dǎo)電型第1硅柱的側(cè)面的第1絕緣體、及包圍該第1絕緣體的柵極；

在所述第1硅柱的上部具備有第3硅柱；

并且，半導(dǎo)體器件由以下區(qū)域所構(gòu)成：

第2導(dǎo)電型高濃度雜質(zhì)區(qū)域，形成于所述硅襯底的一部分；

第2導(dǎo)電型高濃度雜質(zhì)區(qū)域，形成在除所述第3硅柱的與第1硅柱的接觸面以外的面；以及

第1導(dǎo)電型雜質(zhì)區(qū)域，由形成于所述第3硅柱的第2導(dǎo)電型高濃度雜質(zhì)區(qū)域所包圍；

而形成在除所述第3硅柱的與第1硅柱的接觸面以外的面的第2導(dǎo)電型高濃度雜質(zhì)區(qū)域是圓柱；

而形成于所述第3硅柱的第1導(dǎo)電型雜質(zhì)區(qū)域的長度較從形成于第3硅柱的底部的第2導(dǎo)電型高濃度雜質(zhì)區(qū)域延伸的空乏層還長。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，形成于所述第3硅柱的屬于源極的第1導(dǎo)電型雜質(zhì)區(qū)域的長度Ls與直徑Ts為以下關(guān)系式

[數(shù)式8]

Ls>Ts4.]]>

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，形成于所述第3硅柱的屬于漏極的第1導(dǎo)電型雜質(zhì)區(qū)域的長度Ld與直徑Td為以下關(guān)系式

[數(shù)式10]

Ld>Td4.]]>

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第1硅柱為高電阻區(qū)域，形成于所述硅襯底的第1導(dǎo)電型雜質(zhì)區(qū)域?yàn)楦唠娮鑵^(qū)域，所述第3硅柱的第1導(dǎo)電型雜質(zhì)區(qū)域?yàn)楦唠娮鑵^(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第1硅柱為高電阻區(qū)域或第1導(dǎo)電型雜質(zhì)區(qū)域，形成于所述硅襯底的第1導(dǎo)電型雜質(zhì)區(qū)域?yàn)榘?×10¹⁸/cm³以下的雜質(zhì)濃度區(qū)域的第2導(dǎo)電型雜質(zhì)區(qū)域，所述第3硅柱的第1導(dǎo)電型雜質(zhì)區(qū)域?yàn)榘?×10¹⁸/cm³以下的雜質(zhì)濃度區(qū)域的第2導(dǎo)電型雜質(zhì)區(qū)域。