[發明專利]離子遷移譜儀

無效

• 申請號: 201210085709.7
• 申請日: 2012-03-28
• 公開（公告）號: CN103367092A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 楊杰;曹樹亞;郭成海;趙將;蔣顏瑋;邵晟宇;潘勇;楊柳
• 申請（專利權）人: 中國人民解放軍63975部隊
• 主分類號: H01J49/26
• 分類號: H01J49/26;H01J49/06
• 代理公司: 中國人民解放軍防化研究院專利服務中心 11046
• 代理人: 劉永盛

1.一種離子遷移譜儀，其特征是該譜儀包括離子源電極(1)、聚焦導向電極(4)、離子存儲電極(5)；

離子源電極(1)由不銹鋼筒狀結構組成，靠近聚焦導向電極(4)的一側有內倒角；

聚焦導向電極(4)由不銹鋼的喇叭狀結構和環狀結構組合而成，設置在靠近離子源電極(1)有內倒角的一側，且喇叭狀結構從靠近離子源電極(1)的一側向遠離離子源電極(1)的一側逐漸變大；

離子存儲電極(5)，設置在聚焦導向電極(4)的遠離離子源電極(1)的那一側，由不銹鋼絲網和不銹鋼環組成；

聚焦導向電極(4)與離子存儲電極(5)之間環狀絕緣夾層(7)為聚四氟乙烯或PEEK材料，其厚度小于4mm。

2.如權利要求1所述的離子遷移譜儀，其特征是聚焦導向電極(4)為不銹鋼材料，表面噴涂一層絕緣漆。

3.如權利要求1所述的離子遷移譜儀，其特征是離子存儲電極(5)不銹鋼絲網的孔狀結構包含六邊形孔、圓形孔或正方形孔。

4.一種離子遷移譜儀的控制方法，其特征是該方法包括離子存儲階段、離子導出階段和過渡階段：

離子存儲階段，向聚焦導向電極(4)和離子存儲電極(5)施加電壓，使得其小于或等于電極(3)和電極(6)上施加的電壓，以形成電勢“洼地”，將離子存儲在離子存儲結構中，該階段持續200～300μs；

離子導出階段，向聚焦導向電極(4)和離子存儲電極(5)施加電壓，使得其高于電極(3)和電極(6)上施加的電壓，且聚焦導向電極(4)上的電壓高于離子存儲電極(5)上的電壓，以導出存儲在離子存儲結構中的離子；

過渡階段，向聚焦導向電極(4)和離子存儲電極(5)施加電壓，使得離子存儲電極(5)的電壓高于聚焦導向電極(4)、電極(3)和電極(6)上施加的電壓，以避免離子存儲結構電極電壓的跳變造成遷移區前端電場的扭曲，該階段持續2000～4000μs；

過渡階段之后，離子遷移譜儀將進入下一周期的離子存儲階段。