[發(fā)明專利]一種用于相變存儲(chǔ)器的鎢摻雜改性的相變材料及其應(yīng)用

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210085567.4
• 申請(qǐng)日: 2012-03-27
• 公開（公告）號(hào): CN103367633A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宋宏甲;宋志棠;饒峰;吳良才;彭程;朱敏;劉波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
• 主分類號(hào): H01L45/00
• 分類號(hào): H01L45/00
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所 31219
• 代理人: 許亦琳;余明偉

1.一種用于相變存儲(chǔ)器的鎢摻雜改性的相變材料，其化學(xué)組成符合化學(xué)通式W_xA_1-x，其中A選自Ge₂Sb₂Te₅、Sb_yTe_1-y和Ge_zTe_1-z中的一種，x、y、z為原子百分比，且0＜x＜0.65，0.35＜y＜0.8，0.25＜z＜0.95。

2.如權(quán)利要求1所述的鎢摻雜改性的相變材料，其特征在于，0.01≤x≤0.2。

3.如權(quán)利要求1所述的鎢摻雜改性的相變材料，其特征在于，0.4≤y≤0.7。

4.如權(quán)利要求1所述的鎢摻雜改性的相變材料，其特征在于，0.45≤z≤0.6。

5.如權(quán)利要求1所述的鎢摻雜改性的相變材料，其特征在于，所述鎢摻雜改性的相變材料為在外部電驅(qū)動(dòng)脈沖作用下具有可逆相變的材料。

6.如權(quán)利要求1所述的鎢摻雜改性的相變材料，其特征在于，所述鎢摻雜改性的相變材料為相變薄膜材料。

7.如權(quán)利要求1所述的鎢摻雜改性的相變材料，其特征在于，所述鎢摻雜改性的相變材料利用W與Te所形成的化學(xué)鍵來(lái)提高其非晶態(tài)的熱穩(wěn)定性以及提高其晶態(tài)的電阻值。

8.如權(quán)利要求1所述的鎢摻雜改性的相變材料，其特征在于，所述鎢摻雜改性的相變材料通過(guò)控制W元素的含量，同時(shí)改變Ge-Sb-Te中各元素的比例、Ge-Te中各元素的比例或者Sb-Te中各元素的比例而得到不同結(jié)晶溫度、不同結(jié)晶激活能和不同熔點(diǎn)的相變存儲(chǔ)材料。

9.如權(quán)利要求1-8任一所述的鎢摻雜改性的相變材料，其特征在于，所述鎢摻雜改性的相變材料采用磁控濺射法、化學(xué)氣相沉積法、原子層沉積法、脈沖激光沉積法、電子束蒸發(fā)法或電鍍法制得。

10.一種基于權(quán)利要求1-9任一所述的鎢摻雜改性的相變材料的相變存儲(chǔ)器件單元。