[發明專利]一種對紅光半導體激光器進行Zn擴散的方法

有效

• 申請號: 201210085283.5
• 申請日: 2012-03-28
• 公開（公告）號: CN103368072A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 張新;徐現剛;張雨;吳德華;夏偉
• 申請（專利權）人: 山東華光光電子有限公司
• 主分類號: H01S5/343
• 分類號: H01S5/343
• 代理公司: 濟南金迪知識產權代理有限公司 37219
• 代理人: 呂利敏

1.一種對紅光半導體激光器進行Zn擴散的方法，所述的紅光半導體激光器結構包括GaAs襯底，GaAs緩沖層，n-型限制層，N區本征波導層，多量子阱有源區，P區本征波導層，p-型限制層，GaInP，p-型GaAs歐姆接觸層，氧化硅絕緣層，P面電極，在平行于激光器腔面方向光刻并腐蝕部分氧化硅絕緣層，露出的激光器腔面即為Zn擴散區域；步驟如下：

(1)將所述激光器放入MOCVD反應室中，將反應室升溫至200℃～350℃時，通入100sccm～200sccm的AsH₃；繼續升溫，

(2)當反應室溫度達到400℃時再通入5sccm～40sccm的二甲基鋅(DMZn)進行腔面擴散，升溫至450℃～650℃保持恒溫20min～70min；然后，

(3)將反應室溫度在15min～30min內下降至150℃～300℃進行退火；當溫度下降至200℃時停止通入二甲基鋅(DMZn)和AsH₃；

(4)當反應室溫度下降至100℃以下時，Zn擴散完畢。

2.如權利要求1所述的對紅光半導體激光器進行Zn擴散的方法，其特征在于步驟(2)中，當升溫至450℃～650℃保持恒溫20min～70min期間內，保持AsH₃通入不變，二甲基鋅通入采用間隔5-10min的斷續通入方式。

3.如權利要求1所述的對紅光半導體激光器進行Zn擴散的方法，其特征在于步驟(2)中，通入10sccm～25sccm的二甲基鋅(DMZn)進行腔面擴散，升溫至450℃～600℃保持40min～60min。

4.如權利要求1所述的對紅光半導體激光器進行Zn擴散的方法，其特征在于紅光半導體激光器是650nm?AlGaInP/GaInP半導體激光器，襯底為摻Si的50.8mmGaAs，外延結構依次為：0.5微米摻硅GaAs緩沖層；1.1微米n-型Al_0.5In_0.5P限制層；0.2微米N區本征(Al_xGa_1-x)_0.5In_0.5P波導層；本征壓應變AlGaInP/GaInP多量子阱有源區，0.2微米P區本征(Al_xGa_1-x)_0.5In_0.5P波導層；1.1微米p-型Al_0.5In_0.5P限制層；0.1微米GaInP，0.2微米p-型GaAs歐姆接觸層。

5.如權利要求1所述的對紅光半導體激光器進行Zn擴散的方法，其特征在于在緩沖層和n-型限制層之間增加GaInP層。