[發(fā)明專利]外延襯底的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210085254.9
• 申請日: 2012-03-28
• 公開（公告）號: CN103367553A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發(fā)明（設計）人: 魏洋;范守善
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種外延襯底的制備方法，其包括以下步驟：

提供一基底，該基底具有一外延生長面；

在所述基底的外延生長面形成多個凸起部與多個凹陷部，從而形成一圖案化的表面；

在所述外延生長面設置一碳納米管層覆蓋所述多個凸起部與多個凹陷部，所述碳納米管層對應所述凹陷部位置懸空設置；

處理所述碳納米管層，使碳納米管層的起伏趨勢與所述外延生長面的起伏趨勢相同。

2.如權利要求1所述的外延襯底的制備方法，其特征在于，所述在基底的外延生長面設置一碳納米管層的方法為將碳納米管膜或碳納米管線直接鋪設在所述基底的外延生長面作為碳納米管層。

3.如權利要求1所述的外延襯底的制備方法，其特征在于，所述碳納米管層為多個碳納米管組成的自支撐結構。

4.如權利要求3所述的外延襯底的制備方法，其特征在于，其特征在于，所述碳納米管層包括一碳納米管膜，該碳納米管薄膜包括多個連續(xù)且定向延伸的碳納米管片段。

5.如權利要求4所述的外延襯底的制備方法，其特征在于，該多個碳納米管片段包括多個相互平行的碳納米管。

6.如權利要求5所述的外延襯底的制備方法，其特征在于，所述碳納米管層中碳納米管的延伸方向平行于所述碳納米管層的表面設置。

7.如權利要求5所述的外延襯底的制備方法，其特征在于，所述凹陷部為沿同一方向延伸的凹槽，所述凸起部為沿相同方向延伸的凸條。

8.如權利要求7所述的外延襯底的制備方法，其特征在于，所述碳納米管層中碳納米管的延伸方向垂直于所述凹槽的延伸方向設置。

9.如權利要求7所述的外延襯底的制備方法，其特征在于，所述凹槽的寬度為1微米～50微米，深度為0.1微米～1微米，所述凸條的寬度為1微米～20微米。

10.如權利要求1所述的外延襯底的制備方法，其特征在于，所述碳納米管層通過機械壓制、有機溶劑處理或靜電吸附的方法進行處理，使懸空部分碳納米管層貼附于所述凹陷部的底面。

11.如權利要求10所述的外延襯底的制備方法，其特征在于，所述有機溶劑處理所述碳納米管層的方法為通過將鋪設有碳納米管層的基底浸入有機溶劑，或通過將有機溶劑滴落在碳納米管層表面浸潤整個碳納米管層。

12.如權利要求1所述的外延襯底的制備方法，其特征在于，經(jīng)過處理后，所述碳納米管層的起伏趨勢與所述圖案化的外延生長面的起伏趨勢相同。

13.如權利要求1所述的外延襯底的制備方法，其特征在于，所述碳納米管層經(jīng)過處理后，碳納米管層對應凹陷部位置處的部分與對應凸起部位置處的部分斷開，斷開的部分碳納米管層貼附于所述凹陷部的底面。

14.如權利要求1所述的外延襯底的制備方法，其特征在于，處理所述碳納米管層的過程中，所述碳納米管層保持一連續(xù)的整體結構。

15.如權利要求14所述的外延襯底的制備方法，其特征在于，所述對應凹陷部位置處的碳納米管層中的碳納米管貼附于所述凹陷部的底面及側面。