[發(fā)明專利]一種優(yōu)化光子晶體面發(fā)射激光器方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210084836.5 | 申請(qǐng)日： | 2012-03-27 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102611001A | 公開(kāi)（公告）日： | 2012-07-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 徐晨;解意洋;朱彥旭;鄧軍;毛明明;魏思民;曹田;闞強(qiáng);王春霞;陳弘達(dá) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 北京工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01S5/183 | 分類號(hào)： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京思海天達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11203 | 代理人： | 劉萍 |
| 地址： | 100124 *** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 優(yōu)化 光子 晶體 發(fā)射 激光器 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種優(yōu)化光子晶體面發(fā)射激光器方法，所述激光器結(jié)構(gòu)依次為上金屬電極、P型歐姆接觸層、周期交替生長(zhǎng)的上分布布拉格反射鏡、氧化限制層、有源區(qū)，下分布布拉格反射鏡、襯底、N型金屬電極、氧化孔、出光孔、光子晶體空氣孔；光子晶體缺陷孔；
其特征在于：氧化孔的直徑比光子晶體缺陷孔的直徑大一個(gè)光子晶體空氣孔的直徑b，即D＝d+b。
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