[發(fā)明專利]熱改善的集成電路封裝件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210084832.7
• 申請日: 2012-03-27
• 公開（公告）號: CN102810520A
• 公開（公告）日: 2012-12-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曹佩華;張國欽;普翰屏
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/31;H01L21/48;H01L21/56
• 代理公司: 北京德恒律師事務(wù)所 11306
• 代理人: 陸鑫;房嶺梅

1.一種集成電路封裝件，包括：

芯片，包括有源面和與所述有源面相對的背面；

熱元件，物理連接至所述芯片的所述背面；以及

模塑料，封裝所述芯片，所述熱元件的暴露面通過所述模塑料暴露出來。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路封裝件，進一步包括：粘合膜，在所述芯片和所述熱元件之間，所述粘合膜將所述熱元件物理連接至所述芯片的所述背面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路封裝件，其中，所述熱元件包括金屬或半導體芯片。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成電路封裝件，其中，所述金屬選自由銅、鎳、鋁、及其組合組成的組，所述半導體芯片包括與所述芯片所包括的材料相同的材料或者所述半導體芯片為偽芯片。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路封裝件，進一步包括：再分布元件，位于所述芯片的所述有源面上和所述模塑料上。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的集成電路封裝件，進一步包括：球柵陣列，通過所述再分布元件電連接至所述芯片的所述有源面的接合焊盤。

7.一種集成電路封裝件，包括：

芯片，具有第一表面和第二表面，所述第一表面包括接合焊盤，所述第二表面與所述第一表面相對；

散熱元件，位于所述芯片的所述第二表面上；以及

模塑料，位于所述芯片的側(cè)緣上，所述芯片的所述側(cè)緣從所述芯片的所述第一表面延伸至所述第二表面，所述模塑料具有外表面，通過所述外表面暴露所述散熱元件的暴露面。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路封裝件，其中，所述散熱元件的所述暴露面與所述模塑料的所述外表面共平面，且所述散熱元件包括選自基本上由金屬、半導體、以及其組合所組成的組的材料，且通過所述模塑料封裝所述散熱元件的側(cè)緣；或者所述集成電路封裝件進一步包括：再分布元件，位于所述模塑料上和所述芯片的所述第一表面上和球柵陣列，所述球柵陣列包括焊料球，通過所述再分布元件將所述焊料球電連接至所述接合焊盤。

9.一種用于形成集成電路封裝件的方法，所述方法包括：

將熱元件設(shè)置在芯片的背面上；

通過模塑料封裝所述芯片，所述熱元件的表面未被所述模塑料覆蓋；以及

在所述芯片的有源面上和所述模塑料上形成再分布層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，進一步包括將所述芯片的所述有源面粘附至載體襯底和在形成所述再分布層之前，從所述芯片的所述有源面去除所述載體襯底，在所述方法中使用所述模塑料封裝所述芯片包括使用壓模法，并且其中將所述熱元件粘附至所述芯片的所述背面，所述熱元件包括金屬、偽芯片、或者其組合；或者所述方法，進一步包括形成電連接至所述再分布層的球柵陣列，所述再分布層電連接至位于所述芯片的所述有源面上的接合焊盤。