[發明專利]穿硅通孔與其形成方法有效
| 申請號： | 201210084616.2 | 申請日： | 2012-03-27 |
| 公開（公告）號： | CN103367307A | 公開（公告）日： | 2013-10-23 |
| 發明（設計）人： | 陳逸男;徐文吉;葉紹文;劉獻文 | 申請（專利權）人： | 南亞科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/522 | 分類號： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀純 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 穿硅通孔 與其 形成 方法 | ||
1.一種穿硅通孔，其特征在于，包括：
導電電極設置于基底中，其中所述導電電極貫穿所述基底的第一表面以及第二表面；
絕緣層設置于所述基底中，并包圍所述導電電極；以及
摻雜區設置于所述基底中，并包圍所述絕緣層。
2.根據權利要求1所述的穿硅通孔，其特征在于所述摻雜區貫穿所述基底的所述第一表面以及所述第二表面。
3.根據權利要求1所述的穿硅通孔，其特征在于所述摻雜區包含砷。
4.根據權利要求1所述的穿硅通孔，其特征在于所述摻雜區接地。
5.根據權利要求1所述的穿硅通孔，其特征在于所述基底的所述第二表面上完全覆蓋有所述摻雜區。
6.一種形成穿硅通孔的方法，其特征在于，包括：
提供基底，其具有第一表面以及第二表面；
于所述基底的所述第一表面形成一開孔；
在所述開孔的表面形成摻雜區；
在所述摻雜區的表面形成絕緣層以及導電層，以填滿所述開孔；以及
從所述基底的所述第二表面進行薄化工藝，以暴露出所述導電層。
7.根據權利要求6所述的形成穿硅通孔的方法，其特征在于形成所述摻雜區的步驟包括：
在所述開孔的表面上沉積砷硅玻璃層；以及?
進行退火工藝。
8.根據權利要求6所述的形成穿硅通孔的方法，其特征在于形成所述摻雜區的步驟包括：
進行氣象摻雜工藝；以及
進行退火工藝。
9.根據權利要求8所述的形成穿硅通孔的方法，其特征在于所述氣象摻雜工藝包括使用砷。
10.根據權利要求6所述的形成穿硅通孔的方法，其特征在于在所述薄化工藝后，還包含將所述摻雜區接地。?
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