[發明專利]復合納米薄膜的制備儀無效
| 申請號: | 201210084094.6 | 申請日: | 2012-03-26 |
| 公開(公告)號: | CN102615015A | 公開(公告)日: | 2012-08-01 |
| 發明(設計)人: | 賈國治;封彥舟 | 申請(專利權)人: | 天津城市建設學院 |
| 主分類號: | B05C3/10 | 分類號: | B05C3/10 |
| 代理公司: | 天津才智專利商標代理有限公司 12108 | 代理人: | 呂志英 |
| 地址: | 300384 天津市西青*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 復合 納米 薄膜 制備 | ||
技術領域
本發明涉及一種納米薄膜制備儀器,特別是一種復合納米薄膜制備儀。?
背景技術
隨著納米科技的發展,高性能納米材料設計的實現,迫切的需要能完成高質量的納米薄膜和復合納米薄膜。目前國內的相關儀器制造商有:青島眾瑞智能儀器有限公司、北京恒奧德儀器儀表有限公司等公司。?
上述制造商生產的設備中,涉及的提拉設備只能完成納米材料的單次拉膜,而多層拉膜、復合拉膜必須要借助人工干預操作尚可完成,尤其是復合拉膜,需要不斷地的更換溶液、設置機器,工作量大,操作十分繁瑣,嚴重影響了拉膜的質量和性能的重復性。?
納米材料制備的一個關鍵問題是不能引入雜質,目前市場上的納米薄膜提拉機需要烘箱配合才能完成多層拉膜,在轉移過程中不可避免會引入灰塵雜質。另外,目前市場上的納米薄膜拉制機很難實現此類超晶格多層膜的制備,需要進行幾十乃至幾百次的提拉、換液、烘烤、降溫,幾乎是人工不可能完成的,這樣大大限制了高質量、多層膜的研制和實現。?
發明內容
針對現有技術中結構上的不足,本發明的目的是提供一種復合納米薄膜制備儀,能夠實現高度的自動化操作,平穩、快速地進行不同種類溶液的切換、多次提拉和烘烤的全自動全封閉實現。?
為實現上述目的,本發明采用的技術方案是提供一種復合納米薄膜制備儀,該設備包含封閉的外殼、支撐整個裝置的底板、支撐框架,在支撐框架內安裝的提拉樣品的裝置,加熱腔體,試劑選擇平臺,帶微處理器的控?制和通信電路板,其中:所述支撐框架固定在底板上,提拉樣品的裝置固定在支撐框架內的一側,加熱腔體固定在支撐框架另一側上方位置,試劑選擇平臺固定在加熱腔體下方的位置;同時帶微處理器的控制和通信電路板固定在底板上。?
本發明的效果是通過步進電機來驅動提拉裝置,對樣品進行提拉,以及通過加熱管、微控電路對溫度進行控制,同時可以通過旋轉平臺對反應溶液進行選擇。用戶通過PC機配套軟件對儀器微處理器進行控制,可以方便的對提拉次數,提拉速度、以及反應溶液的選擇進行控制,從而可以實現對復合納米多層薄膜制作過程進行全自動化的控制,大大降低了繁雜的人工操作和誤操作的可能性,該設備構結構簡單、緊湊,運行時可靠穩定,噪音小,大大改善了納米材料的制作工藝,并提高材料制備過程的可重復性。采用該納米材料制作裝置,使儀器運行平穩,噪音小,可實現提拉、烘烤、換液的自動化操作,大大提簡化了納米材料的制作流程,使其能夠高速高效準確地完成納米材料的制作過程,整個過程由PC機控制微處理器自動完成。該裝置可用于納米材料的研發、制作等方面。?
附圖說明
圖1為本發明的復合納米薄膜制備儀結構示意圖;?
圖2為圖1的左側視圖;?
圖3為圖1的右側視圖;?
圖4為本發明的復合納米薄膜制備儀電路部分原理框圖。?
圖中:?
1、上限位滑塊??2、絲杠??3、上限位置傳感器??4、提拉裝置滑塊?
5、下限位置傳感器??6、下限位滑塊??7、提拉裝置驅動電機?
8、水平支撐輪座??9、支撐框架??10、底板??11、試劑選擇臺驅動電機?
12、試劑選擇平臺支撐輪??13、試劑選擇平臺?
14、試劑選擇臺原點位置傳感器??15、燒杯座??16、樣品夾?
17、加熱管??18、加熱腔體??19、加熱腔內膽?
20、L形樣品夾支架??21、溫度傳感器??22、直線軸承?
具體實施方式
結合附圖及實施例對本發明的復合納米薄膜制備儀的結構加以說明。?
本發明的復合納米薄膜制備儀,該設備包含封閉的外殼、支撐整個裝置的底板10、支撐框架9,在支撐框架內安裝的提拉樣品的裝置,加熱腔體18,試劑選擇平臺13,帶微處理器的控制和通信電路板。?
所述支撐框架9固定在底板10上,提拉樣品的裝置固定在支撐框架9內的一側,加熱腔體18固定在支撐框架9另一側上方位置,試劑選擇平臺13固定在加熱腔體18下方的位置。同時帶微處理器的控制和通信電路板固定在底板10上。該電路板控制加熱管17的功率,同時控制試劑選擇平臺驅動電機11和提拉裝置的驅動電機7的運動,控制電路通過感應溫度傳感器21,上限定位傳感器3,下限定位傳感器5,試劑選擇臺原點傳感器14檢測機器的運行狀態,并與計算機通信,利用傳感器與軟件技術協調提拉裝置的運動,試劑選擇平臺的位置,加熱管的功率。?
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