[發明專利]低介電常數的填料及其制備工藝

無效

• 申請號: 201210084003.9
• 申請日: 2012-03-27
• 公開（公告）號: CN103360793A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 黃勇峰;陳林;夏古俊
• 申請（專利權）人: 重慶市錦藝硅材料開發有限公司蘇州分公司
• 主分類號: C09C1/28
• 分類號: C09C1/28;C09C3/04
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 楊林潔

技術領域

本發明涉及一種填料，尤其涉及一種應用于覆銅箔板制造領域的低介電常數填料。

背景技術

??眾所周知，在覆銅箔板用樹脂膠水中添加無機粉體是覆銅箔板行業的通行做法，加入功能性填料能夠改善樹脂固化后材料的力學性能、尺寸性能和電氣性能。

隨著先進通訊設備和技術的發展，廣泛應用于通訊領域的各種高頻電子設備的需求也在飛速增長。為滿足高頻信號的傳輸，高傳輸速度和高頻低損耗的需求，各種低介電常數的覆銅板基材也在不斷的發展中。目前低介電常數的板材通常使用氰酸脂、苯乙烯馬來酸酐、PPO/APPE、PTFE、PI或他們的混合物來制造，同時結合使用低介電常數的填料來生產。

現有的填料由各種無機材料，此種材料的介電常數通常在1MHZ條件下為6.5-7,?在1GHZ條件下為6.5-7，此時的介電常數仍然偏高，不符合高頻通訊的要求。

發明內容

本發明的目的之一在于提供一種低介電常數填料，其克服了覆銅箔板制造領域中所用的填料介電常數偏高的問題。

本發明的另一目的在于提供一種制備上述低介電常數填料的制備方法。

為實現上述發明目的之一，本發明的一種低介電常數的填料的制備方法，所述方法包括如下步驟：

a.提供結晶石英，將所述結晶石英置于高溫爐中熔融，形成玻璃態物質；

b.將所述玻璃態物質保溫；

c.對經過保溫的玻璃態物質進行冷卻處理；

d.將經過冷卻處理的玻璃態物質進行球磨粉碎和精密分級，獲得填料。

作為本發明的進一步改進，所述步驟a中的熔融的溫度范圍為：1500℃~1750℃。

作為本發明的進一步改進，所述步驟b中保溫時間的范圍為：8h~14h。

作為本發明的進一步改進，所述制備方法還包括：用偶聯劑對所述填料進行表面處理。

作為本發明的進一步改進，所述偶聯劑為硅烷。

為實現上述發明目的之一，本發明的一種低介電常數填料，所述填料包括：質量百分比為99.5%的氧化硅。

作為本發明的進一步改進，所述填料的介電常數1MHZ為3.5~4.5。

作為本發明的進一步改進，所述填料的介電常數1GHZ為3.5~4.5。

作為本發明的進一步改進，所述填料的平均粒徑范圍為：0~10μm。

作為本發明的進一步改進，所述填料的純水溶解出離子含量范圍為：0~100ppm。

與現有技術相比，本發明的有益效果是：本發明通過對熔融的石英進行冷卻、粉碎和分級，從而制備出一種具有低介電常數的填料，其很好的滿足了目前高頻通訊的要求，保證了通訊的質量。

附圖說明

圖1為本發明的制備方法一具體實施方式的流程圖。

具體實施方式

下面結合附圖所示的各實施方式對本發明進行詳細說明，但應當說明的是，這些實施方式并非對本發明的限制，本領域普通技術人員根據這些實施方式所作的功能、方法、或者結構上的等效變換或替代，均屬于本發明的保護范圍之內。

如圖1所示，為本實施方式的制備方法的流程圖，本實施方式中，一種低介電常數的填料的制備方法，該方法包括如下步驟：

a.提供高純的結晶石英，將所述結晶石英置于高溫爐中熔融，形成玻璃態物質。上述高純的結晶石英包括質量分數為99.5%的氧化硅。上述熔融過程的溫度范圍為：1500℃~1750℃。

b.待熔融過程反應完全，使形成的玻璃態物質保溫一定時間，上述一定時間的范圍為：8h~14h。

c.對經過保溫的玻璃態物質進行冷卻處理；

d.將經過冷卻處理的玻璃態物質進行球磨粉碎和精密分級，即獲得所述低介電常數的填料。

上述低介電常數填料為顆粒或顆粒的集合體。

進一步地，還可用偶聯劑對步驟d中的填料進行表面處理，偶聯劑可以為硅烷。

下面結合具體的實施方式對本發明進行詳細的說明。

實施例一

提供高純的結晶石英，其中氧化硅的質量百分數為99.5%，將上述石英在1500℃的高溫爐中熔融，形成玻璃態物質，并保溫10h。待保溫過程完畢，對高溫玻璃態物質進行冷卻，然后通過球磨粉碎和精密分級，即獲得本發明的低介電常數的填料。

上述填料的介電常數1MHZ為3.5~4.5；1GHZ為3.5~4.5。

填料的平均粒徑范圍為：0~10μm，優選地，平均粒徑以2~3μm為佳。

進一步地，填料的純水溶解出離子含量范圍為：0~100ppm。