[發明專利]MOCVD設備的清潔方法有效
| 申請號： | 201210082876.6 | 申請日： | 2012-03-26 |
| 公開（公告）號： | CN102615068A | 公開（公告）日： | 2012-08-01 |
| 發明（設計）人： | 尹志堯;杜志游;孟雙;朱班 | 申請（專利權）人： | 中微半導體設備（上海）有限公司 |
| 主分類號： | B08B7/00 | 分類號： | B08B7/00;B08B13/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 201201 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mocvd 設備 清潔 方法 | ||
1.一種MOCVD設備的清潔方法，其特征在于，包括：
向所述MOCVD設備的反應腔內通入清潔氣體；
利用等離子體處理裝置將所述清潔氣體等離子體化；
將反應腔內壁的溫度上升至50℃～250℃，在所述溫度下利用清潔氣體的等離子體清潔所述反應腔內壁。
2.如權利要求1所述的MOCVD設備的清潔方法，其特征在于，將反應腔內壁的溫度上升至200℃～250℃，在所述溫度下利用清潔氣體的等離子體清潔所述反應腔內壁。
3.如權利要求1所述的MOCVD設備的清潔方法，其特征在于，所述MOCVD設備的反應腔頂部具有氣體噴淋頭，所述氣體噴淋頭內具有噴淋頭冷卻裝置。
4.如權利要求1所述的MOCVD設備的清潔方法，其特征在于，在利用所述清潔氣體的等離子體清潔所述反應腔內壁的同時，所述噴淋頭冷卻裝置內未通入液體。
5.如權利要求1所述的MOCVD設備的清潔方法，其特征在于，在利用所述清潔氣體的等離子體清潔所述反應腔內壁的同時，所述噴淋頭冷卻裝置內通入高溫液體，使得所述噴淋頭表面的溫度上升至50℃～250℃。
6.如權利要求5所述的MOCVD設備的清潔方法，其特征在于，所述高溫液體的材料為硅油、導熱油、熔鹽或水。
7.如權利要求1所述的MOCVD設備的清潔方法，其特征在于，所述等離子體處理裝置包括電感耦合等離子體處理裝置和電容耦合等離子體處理裝置。
8.如權利要求1所述的MOCVD設備的清潔方法，其特征在于，所述等離子體處理裝置的功率大于或等于1000W，利用等離子產生的熱能加熱反應腔內壁。
9.如權利要求1所述的MOCVD設備的清潔方法，其特征在于，所述清潔氣體至少包括用于化學清潔的第一清潔氣體，所述第一清潔氣體至少包括Cl元素。
10.如權利要求9所述的MOCVD設備的清潔方法，其特征在于，所述第一清潔氣體為Cl2、HCl其中的一種或兩種的組合。
11.如權利要求9所述的MOCVD設備的清潔方法，其特征在于，所述清潔氣體還包括用于物理清潔的第二清潔氣體，所述第二清潔氣體為Ar、N2其中的一種或兩種的組合。
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