[發(fā)明專利]用于在倒裝芯片封裝中模制下層填料的裝置和方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210082793.7
• 申請(qǐng)日: 2012-03-26
• 公開（公告）號(hào): CN103094130A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳孟澤;林修任;林俊成;呂文雄;鄭明達(dá);劉重希
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/56
• 分類號(hào): H01L21/56;B29C45/14;B29C45/26
• 代理公司: 北京德恒律師事務(wù)所 11306
• 代理人: 陸鑫;房嶺梅

1.一種方法，包括：

在第一溫度下，將倒裝芯片襯底裝載到模壓件的上模具和下模具中所選擇的一個(gè)中，其中，在所述倒裝芯片襯底上包含至少一個(gè)倒裝芯片安裝的集成電路；

將所述上模具和所述下模具中的至少之一中的模制的下層填料材料覆蓋在所述倒裝芯片襯底上和至少一個(gè)集成電路上，同時(shí)將所述上模具和所述下模具保持在所述第一溫度，所述第一溫度低于所述模制的下層填料材料的熔化溫度；

將所述上模具和所述下模具封閉在一起以形成密封的模腔并在所述模腔中產(chǎn)生真空；

將所述模制的下層填料材料的溫度升高至高于所述模制的下層填料材料的熔點(diǎn)的第二溫度，以使得所述模制的下層填料材料在所述倒裝芯片襯底的上方并在至少一個(gè)倒裝芯片安裝的集成電路的下方流動(dòng)，形成下層填料層并形成塑模層；

將所述倒裝芯片襯底和所述模腔冷卻至基本低于所述模制的下層填料材料的熔化溫度的第三溫度；以及

隨后打開所述上模具和所述下模具，從而暴露所述倒裝芯片襯底以用于卸載。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，裝載所述倒裝芯片襯底的步驟包括將所述倒裝芯片襯底裝載到所述下模具中。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，裝載所述倒裝芯片襯底的步驟包括將所述倒裝芯片襯底裝載到所述上模具中。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，升高所述溫度的步驟進(jìn)一步包括激活所述模壓件的所述上模具和所述下模具中的加熱器，所述上模具和所述下模具是導(dǎo)熱的。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，升高所述溫度的步驟進(jìn)一步包括激活位于所述模壓件的所述上模具上方和所述下模具下方的紅外線源，所述上模具和所述下模具是紅外線輻射可透過的。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，裝載所述倒裝芯片襯底的步驟進(jìn)一步包括在所述上模具和所述下模具中的至少一個(gè)的部分上方提供模制剝離膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一溫度大約為25攝氏度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第三溫度大約為25攝氏度。

9.一種裝置，包括：

模壓件，包括上模具和下模具，所述上模具和所述下模具包含紅外線輻射可透過的材料；以及

紅外線燈，被設(shè)置用于為所述上模具和所述下模具提供紅外線輻射。

10.一種方法，包括：

將半導(dǎo)體襯底裝載到模壓件的上模具和下模具中的一個(gè)中，其中，在所述半導(dǎo)體襯底上包含安裝有多個(gè)倒裝芯片安裝的集成電路，所述上模具和所述下模具處于第一溫度；

將模制的下層填料層裝載到所述上模具和所述下模具中的一個(gè)中，同時(shí)使所述上模具和所述下模具保持在所述第一溫度，所述模制的下層填料層在所述第一溫度為固態(tài)，并覆蓋多個(gè)倒裝芯片安裝的集成電路；

封閉所述模壓件的所述上模具和所述下模具，以形成含有所述半導(dǎo)體襯底和所述模制的下層填料層的密封腔；

向所述密封腔提供真空以產(chǎn)生小于大約1托的真空，同時(shí)使所述半導(dǎo)體襯底和所述模制的下層填料層的溫度保持在所述第一溫度；

將所述半導(dǎo)體襯底和所述模制的下層填料層加熱至高于所述模制的下層填料層的熔化溫度的第二溫度，以使得所述模制的下層填料層在所述半導(dǎo)體襯底上方流動(dòng)并在多個(gè)倒裝芯片安裝的集成電路下方形成下層填料，同時(shí)在倒裝芯片安裝的集成電路上方形成塑模封裝層；

將所述半導(dǎo)體襯底冷卻至基本低于所述模制的下層填料層的熔化溫度的第三溫度；以及

打開所述上模具和所述下模具，以用于卸載所述模壓件。