[發(fā)明專利]固體拍攝裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210082792.2 | 申請(qǐng)日： | 2012-02-06 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102629617A | 公開(kāi)（公告）日： | 2012-08-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 古屋晶吾;山下浩史;山口鐵也 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 株式會(huì)社東芝 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/146 | 分類號(hào)： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務(wù)所 11247 | 代理人： | 劉瑞東;陳海紅 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 固體 拍攝 裝置 | ||
1.一種固體拍攝裝置，其特征在于，包括：
第一元件形成區(qū)域，其由具有第一面和與所述第一面對(duì)向的第二面的半導(dǎo)體基板內(nèi)的元件分離區(qū)域包圍；
上部元件分離層，其在所述元件分離區(qū)域內(nèi)設(shè)置在所述第一面?zhèn)龋?/p>
下部元件分離層，其設(shè)置在所述第二面和所述上部元件分離層之間；
第一光電二極管，其包含設(shè)置在所述元件形成區(qū)域內(nèi)的第一雜質(zhì)層；
浮置擴(kuò)散區(qū)，其設(shè)置在所述元件形成區(qū)域內(nèi)；以及
第一晶體管，其配置在所述第一光電二極管和所述浮置擴(kuò)散區(qū)之間、具有設(shè)置在所述第一面上的第一柵極電極；
其中，相對(duì)于所述半導(dǎo)體基板的所述第一面在水平方向上，夾著所述第一雜質(zhì)層而與所述晶體管對(duì)向的所述下部元件分離層的側(cè)面比位于其上方的所述上部元件分離層的側(cè)面更向所述晶體管側(cè)突出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體拍攝裝置，其特征在于，所述上部元件分離層和所述下部元件分離層是雜質(zhì)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體拍攝裝置，其特征在于，作為所述下部元件分離層的雜質(zhì)層的濃度在作為所述上部元件分離層的雜質(zhì)層的濃度以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體拍攝裝置，其特征在于，所述上部元件分離層是絕緣體，所述下部元件分離層是雜質(zhì)層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體拍攝裝置，其特征在于，所述光電二極管的電勢(shì)分布的最深部的位置比所述光電二極管的形成位置的中心，更向所述晶體管側(cè)偏移。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的固體拍攝裝置，其特征在于，相對(duì)于所述第一面在水平方向上的所述光電二極管的形成位置的中心位于所述上部元件分離層和所述第一晶體管之間的中心。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體拍攝裝置，其特征在于，相對(duì)于所述第一面在垂直方向上的所述第一光電二極管的電位的中心，比所述下部元件分離層的上部更位于所述半導(dǎo)體基板的所述第一面?zhèn)取?!-- SIPO
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體拍攝裝置，其特征在于，所述第一光電二極管內(nèi)的所述第一面?zhèn)鹊牡入娢痪€的分布比所述第一光電二極管內(nèi)的所述第二面?zhèn)鹊牡入娢痪€的分布密。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體拍攝裝置，其特征在于，相對(duì)于所述第一面在水平方向上的所述下部元件分離層和所述晶體管的間隔比相對(duì)于所述半導(dǎo)體基板的第一面在水平方向上的所述上部元件分離層和所述晶體管的間隔小。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體拍攝裝置，其特征在于，相對(duì)于所述第一面在水平方向上的所述下部元件分離層的形成位置比所述上部元件分離層的形成位置更向所述第一晶體管側(cè)偏移。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體拍攝裝置，其特征在于，相對(duì)于所述第一面在水平方向上的所述下部元件分離層的形成位置的中心與所述上部元件分離層的形成位置的中心一致，所述下部元件分離層的寬度比所述上部元件分離層的寬度大。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體拍攝裝置，其特征在于，所述浮置擴(kuò)散區(qū)的底部比所述下部元件分離層的上部更位于所述第一面?zhèn)取?/p>
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體拍攝裝置，其特征在于，
所述光電二極管的所述第一雜質(zhì)層包含相對(duì)于所述第一面在水平方向上與所述上部元件分離層相鄰的第一區(qū)域，和相對(duì)于所述第一面在水平方向上與所述下部元件分離層相鄰的第二區(qū)域，
所述第一區(qū)域的雜質(zhì)濃度與所述第二區(qū)域的雜質(zhì)濃度基本相同，
相對(duì)于所述第一面在水平方向上的所述第一區(qū)域的大小比相對(duì)于所述第二面在水平方向上的所述第一區(qū)域的大小小。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體拍攝裝置，其特征在于，還包括設(shè)置在所述第二面?zhèn)壬系奈⑼哥R。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體拍攝裝置，其特征在于，還包括：
第二光電二極管，其包含夾著所述元件分離區(qū)域而與所述第一元件形成區(qū)域相鄰的第二元件形成區(qū)域，和設(shè)置在所述第二元件形成區(qū)域內(nèi)的第二雜質(zhì)層；以及
第二晶體管，其配置在所述第二光電二極管和所述浮置擴(kuò)散區(qū)之間、具有設(shè)置在所述第一面上的第二柵極電極；
其中，所述浮置擴(kuò)散區(qū)共同連接到所述第一和第二光電二極管。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
