[發明專利]成膜方法、成膜裝置

無效

• 申請號: 201210082649.3
• 申請日: 2012-03-26
• 公開（公告）號: CN102703877A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 兩角友一朗;菅原卓也;秋山浩二;菱屋晉吾;廣田俊幸;清村貴利
• 申請（專利權）人: 爾必達存儲器株式會社;東京毅力科創株式會社
• 主分類號: C23C16/40
• 分類號: C23C16/40;C23C16/44;C23C16/455;H01L21/316;H01L21/8242
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種成膜方法，其特征在于，其是成膜包含氧化鋯膜的電介質膜的方法，該成膜方法具有：

供給由在結構中含有環戊二烯基環的鋯化合物構成的鋯原料和氧化劑，在被處理基板上形成氧化鋯膜的成膜工序；

供給由在結構中含有環戊二烯基環的鈦化合物構成的鈦原料和氧化劑，在所述氧化鋯膜上形成氧化鈦膜的成膜工序。

2.根據權利要求1所述的成膜方法，其特征在于，成膜所述氧化鋯膜的工序通過在處理容器內交替地多次供給所述由在結構中含有環戊二烯基環的鋯化合物構成的鋯原料和所述氧化劑來實施，

成膜所述氧化鈦膜的工序是在所述氧化鋯膜的成膜之后通過在所述處理容器內交替地多次供給所述由在結構中含有環戊二烯基環的鈦化合物構成的鈦原料和所述氧化劑來實施的。

3.根據權利要求2所述的成膜方法，其特征在于，

所述由在結構中含有環戊二烯基環的鋯化合物構成的鋯原料的供給與所述氧化劑的供給隔著排出所述處理容器內的氣體的工序反復進行，

所述由在結構中含有環戊二烯基環的鈦化合物構成的鈦原料的供給和所述氧化劑的供給隔著排出所述處理容器內的氣體的工序反復進行。

4.根據權利要求1所述的成膜的方法，其特征在于，在結構中含有環戊二烯基環的鋯化合物是環戊二烯基·三(二甲基氨基)合鋯或甲基環戊二烯基·三(二甲基氨基)合鋯。

5.根據權利要求1所述的成膜方法，其特征在于，在結構中含有環戊二烯基環的鈦化合物是甲基環戊二烯基·三(二甲基氨基)合鈦。

6.一種成膜裝置，其特征在于，其是成膜包含氧化鋯膜的電介質膜的成膜裝置，該裝置具備：

可保持真空的立式的呈筒體狀的處理容器，

將被處理基板以保持為多段的狀態保持在所述處理容器內的保持部件，

設置在所述處理容器的外周的加熱裝置，

將鋯原料供給到所述處理容器內的鋯原料供給機構，

將鈦原料供給到所述處理容器內的鈦原料供給機構，

將氧化劑供給到所述處理容器內的氧化劑供給機構，以及，

控制所述鋯原料供給機構、所述鈦原料供給機構和所述氧化劑供給機構的控制機構，

所述控制機構進行控制以進行如下工序：

將在結構中含有環戊二烯基環的鋯化合物作為鋯原料供給到所述處理容器內，并供給氧化劑，在被處理基板上成膜氧化鋯膜的工序；和，

將在結構中含有環戊二烯基環的鈦化合物作為鈦原料供給到所述處理容器內，并供給氧化劑，在所述氧化鋯膜上成膜氧化鈦膜的工序。

7.根據權利要求6所述的成膜裝置，其特征在于，所述控制機構進行控制以進行下述工序：

通過在所述處理容器內交替地多次供給所述由在結構中含有環戊二烯基環的鋯化合物構成的鋯原料和所述氧化劑來進行成膜所述氧化鋯膜的工序，以及，

在所述氧化鋯膜的成膜之后通過在所述處理容器內交替地多次供給所述由在結構中含有環戊二烯基環的鈦化合物構成的鈦原料和所述氧化劑來進行成膜所述氧化鈦膜的工序。