[發明專利]非揮發性存儲器的擦除方法

有效

• 申請號: 201210082555.6
• 申請日: 2012-03-26
• 公開（公告）號: CN103366813A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 雷冬梅;趙鋒;張愛東
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: G11C16/14
• 分類號: G11C16/14;G11C16/06
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種非揮發性存儲器的擦除方法，其特征在于，非揮發性存儲器的存儲單元的結構為N行×M列，所述非揮發性存儲器設置一個數據緩沖存儲區，非揮發性存儲器的擦除方法包括如下步驟：

步驟一、進行預編程，所述預編程實現對各所述存儲單元進行寫1操作，使各所述存儲單元的電平全部都大于第一電平；所述預編程之后，對各所述存儲單元進行電荷或電平檢測，各所述存儲單元全部讀出值要求都為1；

步驟二、進行深擦除，所述深擦除實現對各所述存儲單元進行寫0操作，使各所述存儲單元的電平全部都小于第二電平，所述第二電平小于所述第一電平；所述深擦除之后，對各所述存儲單元進行電荷或電平檢測，各所述存儲單元全部讀出值要求都為0；

步驟三、進行軟編程，所述軟編程用于對各所述存儲單元進行寫1操作，所述軟編程的編程時間小于所述預編程的編程時間，所述軟編程的編程電壓和所述預編程的編程電壓相同；

步驟四、對各所述存儲單元都進行電荷或電平檢測，該電荷或電平檢測用于檢測是否所有的所述存儲單元都達到了預定電平，所述預定電平為大于所述第二電平且小于所述第一電平的電平；如果有一個以上的所述存儲單元未達到所述預定電平，則進行步驟五；如果所有的所述存儲單元都達到所述預定電平，則進行步驟六；

步驟五、從所述非揮發性存儲器的第0列到第M-1列，對于每一列，讀第0行至第N-1行的各所述存儲單元的數據，將各列的所述第0行至第N-1行的各所述存儲單元的數據取反相或，并將各列得到的取反相或的值寫入到所述數據緩沖存儲區中；之后，再重復步驟三和步驟四；

步驟六、結束擦除。

2.如權利要求1所述的非揮發性存儲器的擦除方法，其特征在于：所述數據緩沖存儲區由M個只能寫1不能寫0的緩沖寄存器組成，每一個所述緩沖寄存器對應于一列的所述存儲單元。

3.如權利要求3所述的非揮發性存儲器的擦除方法，其特征在于：步驟五中各列得到的取反相或的值寫入到各列所對應的所述緩沖寄存器中。