[發(fā)明專利]發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)與其制法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210082441.1
• 申請(qǐng)日: 2012-03-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103367614A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王宏洲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)達(dá)電子工業(yè)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/52
• 分類號(hào): H01L33/52;H01L33/54
• 代理公司: 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 馮志云;呂俊清

1.一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，包括：

一基板；

一發(fā)光二極管芯片，形成于該基板上；

一第一疏水性阻擋層，形成于該基板上且包圍該發(fā)光二極管芯片；以及

一第一覆蓋層，形成于該基板上且覆蓋該發(fā)光二極管芯片，其中該第一疏水性阻擋層作為該第一覆蓋層的邊界且該第一覆蓋層的切面與該基板之間的夾角為約60-90度。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，其中該基板包括氧化鋁、氮化鋁、硅基板、碳化硅、銅金屬或其合金、鋁金屬或其合金、金屬核心印刷電路板、覆銅陶瓷基板、FR4板或FR5板。

3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，其中該第一疏水性阻擋層的材料包括氟系材料或硅氧烷系材料。

4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，其中該第一疏水性阻擋層包括透明或不透明材料。

5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，其中該第一疏水性阻擋層的圖案包括圓形、矩形、橢圓形、菱形、三角形或不規(guī)則形狀。

6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，其中該第一疏水性阻擋層的厚度為約10-500μm。

7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，其中該第一覆蓋層的材料包括硅膠、環(huán)氧樹(shù)脂、玻璃或上述的組合。

8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，其中該第一覆蓋層包括連續(xù)或不連續(xù)區(qū)塊。

9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，其中該第一覆蓋層中還包括一光擴(kuò)散粒子或一光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換粒子。

10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，其中該光擴(kuò)散粒子包括二氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氟化鈣、碳酸鈣、硫酸鋇或上述的組合。

11.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，其中該光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換粒子包括釔鋁石榴石熒光粉、硅酸鹽熒光粉、鋱鋁石榴石熒光粉、氧化物熒光粉、氮化物熒光粉、鋁氧化物熒光粉或上述的組合。

12.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，其中該發(fā)光二極管芯片的表面上還包括一光學(xué)擴(kuò)散層或一光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層。

13.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，還包括：

一第二疏水性阻擋層，形成于該基板上且圍繞該第一疏水性阻擋層；以及

一第二覆蓋層，形成于該基板與該第一覆蓋層上，其中該第二疏水性阻擋層作為該第二覆蓋層的邊界且該第二覆蓋層的切面與該基板之間的夾角為約60-90度。

14.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，還包括：

多個(gè)形成于該基板中的導(dǎo)通孔；

多個(gè)形成于所述多個(gè)導(dǎo)通孔上的第一導(dǎo)電墊，多個(gè)形成于所述多個(gè)導(dǎo)通孔下的第二導(dǎo)電墊；

多條形成于該發(fā)光二極管芯片上的導(dǎo)線，其中該發(fā)光二極管芯片通過(guò)所述多個(gè)導(dǎo)線、所述多個(gè)第一導(dǎo)電墊、所述多個(gè)導(dǎo)通孔電性連接至所述多個(gè)第二導(dǎo)電墊。

15.一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)的制法，包括以下步驟：

提供一基板；

于該基板上形成一第一疏水性阻擋層；

于該基板上形成一發(fā)光二極管芯片，其中該發(fā)光二極管芯片設(shè)置于該第一疏水性阻擋層所圍繞的區(qū)域內(nèi)；以及

于該基板上且覆蓋該發(fā)光二極管芯片形成一第一覆蓋層，其中該第一疏水性阻擋層作為該第一覆蓋層的邊界且該第一覆蓋層的切面與該基板之間的夾角為約60-90度。

16.如權(quán)利要求15所述的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其中形成該第一疏水性阻擋層的方法包括點(diǎn)膠工藝、網(wǎng)印工藝、貼合工藝、黃光微影工藝、噴涂工藝或沉積工藝。

17.如權(quán)利要求15所述的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其中形成該第一覆蓋層的方法包括點(diǎn)膠工藝、網(wǎng)印工藝、模具成型工藝或貼合工藝。

18.如權(quán)利要求15所述的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其中該制法還包括：

于該第一覆蓋層中形成一光擴(kuò)散粒子或一光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換粒子。

19.如權(quán)利要求15所述的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)的制法，于形成該第一覆蓋層之前，還包括以下步驟：

于該發(fā)光二極管芯片的表面上形成一光學(xué)擴(kuò)散層或一光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層。

20.如權(quán)利要求15所述的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其中該制法還包括以下步驟：

于該基板上且圍繞該第一疏水性阻擋層形成一第二疏水性阻擋層；以及

于該基板與該第一覆蓋層上形成一第二覆蓋層，其中該第二覆蓋層以該第二疏水性阻擋層作為邊界且該第二覆蓋層的切面與該基板之間的夾角為約60-90度。