[發明專利]含In和Sn的合金的回收方法及ITO循環再利用材料處理方法

無效

• 申請號: 201210082418.2
• 申請日: 2012-03-26
• 公開（公告）號: CN102732726A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 河村壽文
• 申請（專利權）人: 吉坤日礦日石金屬株式會社
• 主分類號: C22B7/00
• 分類號: C22B7/00;C22B58/00;C22B25/06
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 雒運樸

技術領域

本發明涉及一種包含In和Sn的合金的回收方法，尤其是涉及用于從ITO廢料等的In-Sn混合物中回收包含In和Sn的合金的、包含In和Sn的合金的回收方法及ITO循環再利用材料的處理方法。

背景技術

現有以來，氧化銦·錫(ITO)的薄膜作為透明導電膜而被利用，主要將ITO燒結體作為靶材通過濺射法或蒸鍍法來制作。ITO靶材的使用率低，且使用后的大部分作為廢料回收。為了有效活用In等資源，而從回收了的ITO廢料中回收In及Sn。

關于從以ITO廢料為代表的In和Sn的混合物中有選擇地分離In而回收的方法有溶劑提取或酸浸，尤其是酸浸為通用方法，往往采用鹽酸、硫酸、硝酸等無機酸等。

例如，在JP特開2000-169991號公報(專利文獻1)中，使ITO在鹽酸中熔化，并在之中添加堿而使pH成為0.5～4，將Sn作為氫氧化物除去，接著吹入硫化氫氣體，作為銅、鉛等有害物而除去，然后采用該熔化液并通過電解而電解采集In金屬。

但是，在專利文獻1所公開的技術中，最初在該工序的前階段，為了能夠進行酸浸，故存在微粉化的需要。不過，近年的ITO由于高密度化，而粉碎非常困難，且粉塵等環境對策花費巨大的費用。

另外，在專利文獻1所公開的技術中，產生了回收工序內的污染物，故精制工序是必須的。精制有酸處理或硫化處理等，由此能夠除去鉛、鐵、銅，但此時也除去了Sn。

也有為了使ITO廢料酸浸而不粉碎地還原來金屬化的方法。例如，在JP特開平7-145432號公報(專利文獻2)中，存在將ITO在氫氣中進行還原這樣的記載。

但是，在專利文獻2所公開的技術中，還原溫度比較高，故實際上存在In成分大量揮發的情況。另外，如實施例所示，作為生成的還原金屬中的雜質的Fe含有率高。欲要獲得高純度的In時，要通過電解精制、酸浸等作為In單獨進行分離，在此也除去了Sn。

【在先技術文獻】

【專利文獻】

【專利文獻1】JP特開2000-169991號公報

【專利文獻2】JP特開平7-145432號公報

發明內容

本發明就是鑒于上述課題而作出的，其課題在于，提供能夠抑制自原料中的In或Sn的損失且能夠以高純度回收In和Sn的合金的、包含In和Sn的合金的回收方法及ITO循環再利用材料的處理方法。

為了解決上述課題，本發明人進行了認真研究，其結果發現，通過使ITO廢料等中所包含的In和Sn的混合物在適當的溫度下進行還原處理，并適量抽出所獲得的熔融金屬中的熔渣來鑄造，從而既抑制自原料中的In、Sn的損失又可獲得包含高純度的In和Sn的合金。

在以這樣的見解作為基礎而完成的本發明在一方面為包含In和Sn的合金的回收方法，包括：將包含In和Sn的混合物在熔化爐中通過還原氣體在750～1000℃下進行還原的工序；從通過還原所獲得的熔融金屬中除去熔渣的工序；鑄造熔渣除去后的熔融金屬而制造包含In和Sn的合金的工序。

本發明的包含In和Sn的合金的回收方法在一實施方式中為，將熔渣除去熔融金屬總容量的1～3mass％。

本發明的包含In和Sn的合金的回收方法在一實施方式中為，還原氣體為RX氣體。

本發明在另一方面為ITO循環再利用材料的處理方法，包括：將ITO循環再利用材料在熔化爐中通過還原氣體在750～1000℃下進行還原的工序；從通過還原所獲得的熔融金屬中除去熔渣的工序；鑄造除去后的熔融金屬而制造包含In和Sn的合金的工序。

發明效果

根據本發明，提供能夠抑制自原料中的In或Sn的損失且能夠以高純度回收In和Sn的合金的、包含In和Sn的合金的回收方法及ITO循環再利用材料的處理方法。

附圖說明

圖1是表示本發明的實施方式所涉及的包含In和Sn的合金的回收方法的一處理方式的流程圖。

具體實施方式

本發明的實施方式所涉及的包含In和Sn的合金的回收方法包括：(1)使包含In和Sn的混合物在熔化爐中通過還原氣體在750～1000℃下還原的工序；(2)從通過還原獲得的熔融金屬中除去熔渣的工序；(3)對熔渣除去后的熔融金屬進行鑄造而制造包含In和Sn的合金的工序。