[發(fā)明專利]抗彎曲的多模光纖和光學(xué)系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210082368.8 | 申請(qǐng)日： | 2012-03-26 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102692674A | 公開（公告）日： | 2012-09-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | D·莫林;P·斯拉德;M·比戈-阿斯楚克;F·古埃爾;F·J·阿赫滕 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 德拉克通信科技公司 |
| 主分類號(hào)： | G02B6/028 | 分類號(hào)： | G02B6/028 |
| 代理公司： | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇 |
| 地址： | 荷蘭阿*** | 國省代碼： | 荷蘭;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 彎曲 光纖 光學(xué)系統(tǒng) | ||
1.一種多模光纖，其包括：
由外光包層包住的中央纖芯，其中，所述外光包層的折射率值為nc1，并且：
(i)所述中央纖芯的外半徑r1約為30微米～50微米、
(ii)所述中央纖芯的最大折射率值為n0、
(iii)所述中央纖芯相對(duì)于所述外光包層具有漸變的折射率分布、以及
(iv)所述中央纖芯的相對(duì)折射率差定義為如下：
位于所述中央纖芯和所述外光包層之間的內(nèi)包層，其中，所述內(nèi)包層的外半徑為r2；以及
位于所述內(nèi)包層和所述外光包層之間的凹槽，其中，所述凹槽的外半徑為r3，并且所述凹槽相對(duì)于所述外光包層的折射率差Δn3約為-10×10-3～-5×10-3；
其中，約為5.1×10-3μm-1以上；
所述內(nèi)包層的外半徑r2和所述中央纖芯的外半徑r1之間的差r2-r1約為1微米～3微米；
所述凹槽的外半徑r3和所述內(nèi)包層的外半徑r2之間的差r3-r2約為3微米～7微米；
在波長850納米處，對(duì)于以曲率半徑5毫米繞兩匝，所述多模光纖的彎曲損耗大致為小于0.3dB。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多模光纖，其特征在于，約為5.4×10-3μm-1以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多模光纖，其特征在于，所述中央纖芯的外半徑r1約為35微米～50微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多模光纖，其特征在于，在波長850納米處，對(duì)于以曲率半徑5毫米繞兩匝，所述多模光纖的彎曲損耗大致為小于0.2dB。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多模光纖，其特征在于，所述中央纖芯的外徑約為62.5微米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多模光纖，其特征在于，所述中央纖芯的外徑為至少70微米。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多模光纖，其特征在于，所述中央纖芯的外徑約為80微米。
8.一種光學(xué)系統(tǒng)，其包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的多模光纖。
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